[发明专利]静态随机存取存储器

权利要求书

1.一种静态随机存储器，包括场效应晶体管PG_1的栅极空置，漏极接入一个位线BL，源极分别接入场效应晶体管PU_1的漏极和场效应晶体管PU_r的栅极；PG_r的栅极空置，漏极接入另一个位线BLB，源极分别接入场效应晶体管PU_r的漏极和场效应晶体管PU_1的栅极；场效应晶体管PU_1的源极接Vcc，漏极和栅极分别与场效应晶体管PD_1的漏极和栅极相连；场效应晶体管PD_r的源极接入Vss，漏极和栅极分别与场效应晶体管PD_1的漏极和栅极相连；场效应晶体管PU_r的源极接入电压Vcc，漏极和栅极分别与场效应晶体管PD_r的漏极和栅极相连；场效应晶体管PD_1的源极接入地Vss，漏极和栅极分别与场效应晶体管PD_r的漏极和栅极相连；

在布图时，场效应晶体管PG_1、场效应晶体管PG_r、场效应晶体管PU_1、场效应晶体管PU_r、场效应晶体管PD_1和场效应晶体管PD_r的源漏极作为有源区域，与场效应晶体管PG_1、场效应晶体管PG_r、场效应晶体管PU_1、场效应晶体管PU_r、场效应晶体管PD_1和场效应晶体管PD_r的栅极区域在图上有部分重叠，其特征在于，

接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的有源区域图形的拐角区域为非直角结构，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的有源区域图形的拐角区域为非直角结构。

2.如权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于，所述非直角结构为楼梯结构。

3.如权利要求2所述的静态随机存储器，其特征在于，所述楼梯结构为接近场效应晶体管PG_1的栅极区域的有源区域图形的拐角区域去掉一个角，接近场效应晶体管PG_r的栅极区域的有源区域图形的拐角区域去掉一个角。

4.如权利要求3所述的静态随机存储器，其特征在于，所述去掉一个角在垂直方向上距离有源区域拐角区域为2～5纳米。

5.如权利要求1所述的静态随机存储器，其特征在于，所述非直角结构为圆弧形结构。

6.如权利要求5所述的静态随机存储器，其特征在于，所述圆弧形状为1/4圆。