[发明专利]颗粒自动控制方法及系统有效
| 申请号: | 200910056031.8 | 申请日: | 2009-08-06 |
| 公开(公告)号: | CN101989534A | 公开(公告)日: | 2011-03-23 |
| 发明(设计)人: | 王邕保 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
| 地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 颗粒 自动控制 方法 系统 | ||
1.一种颗粒自动控制方法,其特征在于,包括:
获取晶圆表面或工艺环境中颗粒的特性值;
设置颗粒个数的允许上限值;
计算信号值,所述信号值与颗粒个数和颗粒个数的允许上限值有关联;
根据信号值分析颗粒控制情况,在任意三个连续信号值中有两个为异常值,判定为颗粒超标。
2.根据权利要求1所述颗粒自动控制方法,其特征在于,所述计算信号值的步骤分为:
计算正数其中X为颗粒个数,n为颗粒个数的允许上限值;
设置信号值所述2为异常值,1和0为正常值。
3.根据权利要求1所述颗粒自动控制方法,其特征在于,所述根据信号值分析颗粒控制情况是采用SPC软件中WECO准则。
4.根据权利要求3所述颗粒自动控制方法,其特征在于,所述WECO准则设定μ±3σ为控制界限,其中,μ为所述产品的质量特性值的平均值,σ为所述产品的质量特性值的标准差。
5.根据权利要求4所述颗粒自动控制方法,其特征在于,所述控制界限μ±3σ之间的区域等分成六个分区域,所述六个分区域分别为μ+3σ与μ+2σ之间的第一区域A、μ-3σ与μ-2σ之间的第二区域A、μ+2σ与μ+σ之间的第一区域B、μ-2σ与μ-σ之间的第二区域B、μ+σ与μ之间的第一区域C和μ-σ与μ之间的第二区域C。
6.根据权利要求5所述颗粒自动控制方法,其特征在于,所述信号值Z=2是位于第一区域A和第二区域A内的,信号值Z=1是位于第一区域B和第二区域B内的,信号值Z=0是位于第一区域C和第二区域C内的。
7.一种颗粒自动控制系统,其特征在于,包括:
获取单元,获取晶圆表面或工艺环境中颗粒的特性值;
设置单元,设置颗粒个数的允许上限值;
计算单元,计算信号值,所述信号值与颗粒个数和颗粒个数的允许上限值有关联;
分析单元,根据信号值分析颗粒控制情况,在任意三个连续信号值中有两个为异常值,判定为颗粒超标。
8.根据权利要求7所述颗粒自动控制系统,其特征在于,所述计算单元包括:
第一计算单元,计算正数其中X为颗粒个数,n为颗粒个数的允许上限值;
第一设置单元,设置信号值所述2为异常值,1和0为正常值。
9.根据权利要求7所述颗粒自动控制系统,其特征在于,所述分析单元为SPC软件中WECO准则。
10.根据权利要求9所述颗粒自动控制系统,其特征在于,所述WECO准则设定μ±3σ为控制界限,其中,μ为所述产品的质量特性值的平均值,σ为所述产品的质量特性值的标准差。
11.根据权利要求10所述颗粒自动控制系统,其特征在于,所述控制界限μ±3σ之间的区域等分成六个分区域,所述六个分区域分别为μ+3σ与μ+2σ之间的第一区域A、μ-3σ与μ-2σ之间的第二区域A、μ+2σ与μ+σ之间的第一区域B、μ-2σ与μ-σ之间的第二区域B、μ+σ与μ之间的第一区域C和μ-σ与μ之间的第二区域C。
12.根据权利要求11所述颗粒自动控制系统,其特征在于,所述信号值Z=2是位于第一区域A和第二区域A内的,信号值Z=1是位于第一区域B和第二区域B内的,信号值Z=0是位于第一区域C和第二区域C内的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





