[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200910054971.3 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958278A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 吕丹;宋铭峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供晶片，在所述晶片表面包括导电层，位于导电层上层的绝缘层；
在所述绝缘层表面涂覆光掩模层；
图案化晶片中央区域的所述光掩模层，并且晶片边缘区域的光掩模层不进行图案化，使得所述晶片上中央区域的部分绝缘层的被暴露，而晶片边缘区域的绝缘层被完全覆盖；
对暴露的绝缘层进行刻蚀，从而在绝缘层中形成暴露所述导电层的通孔。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤：图案化晶片中央区域的所述光掩模层，并且晶片边缘区域的光掩模层不进行图案化的步骤包括：
将晶片表面划分为阵列排列的曝光区域；
对包括中央区域的曝光区域进行曝光；
对包括边缘区域的曝光区域进行曝光，在对包括边缘区域的曝光区域进行曝光时将边缘区域所对应的掩模版的透光位置遮挡；
对晶片上的光掩模层进行显影。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光掩模层的材料为正性光刻胶。
4.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述晶片边缘区域包括距离晶片边缘1/300倍晶片直径以内的区域。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述晶片的直径为300mm，所述晶片边缘区域包括距离晶片边缘1mm以内的区域。
6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述晶片上还包括位于所述导电层下层的半导体器件层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件制造工艺的特征尺寸为65nm或65nm以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
