[发明专利]颗粒控制的方法无效
| 申请号： | 200910054958.8 | 申请日： | 2009-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101958227A | 公开（公告）日： | 2011-01-26 |
| 发明（设计）人： | 王邕保 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 颗粒 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种颗粒控制的方法，其特征在于，包括：
获取晶圆表面或工艺环境中颗粒的特性值；
在任意三个连续特性值中有两个超过颗粒个数的允许上限值，判定为颗粒超标。
2.根据权利要求1所述颗粒控制的方法，其特征在于，颗粒超标后的步骤为清洗晶圆表面或停机检测或对工艺环境进行清洁。
3.根据权利要求1所述颗粒控制的方法，其特征在于，所述任意三个连续特性值中两个超过颗粒个数的允许上限值是两边两个连续特性值超过颗粒个数的允许上限值，中间一个特性值低于颗粒个数的允许上限值。
4.根据权利要求1所述颗粒控制的方法，其特征在于，所述任意三个连续特性值中两个超过颗粒个数的允许上限值是第一个特性值低于颗粒个数的允许上限值，后两个连续特性值超过颗粒个数的允许上限值。
5.根据权利要求1所述颗粒控制的方法，其特征在于，工艺环境中的颗粒用颗粒收集器件进行收集取样。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
