[发明专利]沟槽的形成方法

权利要求书

1.一种沟槽的形成方法，包括：

提供形成有介质层的衬底；

在所述介质层上形成底部抗反射层；

在所述底部抗反射层上形成光刻胶图形；

其特征在于，还包括：

以所述光刻胶图形为掩膜，以第一刻蚀工艺刻蚀第一厚度的底部抗反射层，形成第一抗反射层图形；

以所述光刻胶图形，第一底部抗反射层图形为掩膜，以第二刻蚀工艺刻蚀所述底部抗反射层直至形成第二底部抗反射层图形，所述第二刻蚀工艺中的等离子轰击能力低于所述第一刻蚀工艺；

以所述光刻胶图形、第一底部抗反射层图形和第二底部抗反射层图形为掩膜，以第三刻蚀工艺刻蚀介质层，形成沟槽。

2.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述的第一厚度为所述底部抗反射层厚度的60％至75％。

3.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺为等离子体刻蚀工艺。

4.如权利要求3所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺具体参数为：腔体压力为35毫托至45毫托，偏压功率为550瓦至700瓦，O₂流量为每分钟40标准立方厘米至每分钟50标准立方厘米，N₂流量为每分钟300标准立方厘米至每分钟400标准立方厘米。

5.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺等离子体刻蚀工艺，所述第二刻蚀工艺刻蚀气体选用原子直径小于O的气体。

6.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺刻蚀气体为H₂。

7.如权利要求5所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺具体参数为：腔体压力为35毫托至45毫托，偏压功率为700瓦至900瓦，H₂流量为每分钟150标准立方厘米至每分钟250标准立方厘米，N₂流量为每分钟300标准立方厘米至每分钟400标准立方厘米。

8.如权利要求1所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺为偏压频率为2MHz的等离子体刻蚀工艺。

9.如权利要求7所述的沟槽的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺具体参数为：腔体压力可以为45毫托至60毫托，源功率为1200瓦至1500瓦，2MHz的偏压功率为150瓦至200瓦，CF₄流量为每分钟280标准立方厘米至每分钟300标准立方厘米。