[发明专利]掩模版承版台及其光刻设备和双曝光方法有效
申请号: | 200910048281.7 | 申请日: | 2009-03-26 |
公开(公告)号: | CN101526754A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
发明(设计)人: | 齐宁宁;齐芊枫;李志龙 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备有限公司;上海微高精密机械工程有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人: | 屈 蘅;李时云 |
地址: | 201203上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模版 承版台 及其 光刻 设备 曝光 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制程领域,特别涉及一种用于双曝光工艺的掩模版承版台及其光刻设备和双曝光方法。
背景技术
现有技术中的光刻装置,主要用于集成电路IC或其它微型器件的制造。通过光刻装置,具有不同掩模图案的多层掩模在精确对准下依次成像在涂覆有光刻胶的晶片上,例如半导体晶片或LCD板。光刻装置大体上分为两类,一类是步进光刻装置,掩模图案一次曝光成像在晶片的一个曝光区域,随后晶片相对于掩模移动,将下一个曝光区域移动到掩模图案和投影物镜下方,再一次将掩模图案曝光在晶片的另一曝光区域,重复这一过程直到晶片上所有曝光区域都拥有掩模图案的像。另一类是步进扫描光刻装置,在上述过程中,掩模图案不是一次曝光成像,而是通过投影光场的扫描移动成像。在掩模图案成像过程中,掩模与晶片同时相对于投影系统和投影光束移动。
目前,光刻设备大多采用每批硅片曝光后更换一次掩模版的方式,即一个掩模图案对应一批硅片曝光之后,再更换另一个掩模图案,每个掩模图案对应集成电路上的一层电路。但是,当同一层上图案的差别较大或是密度极大的情况下掩模版的制备非常困难。请参见图1,其所示为现有技术中硅片曝光形成的图形。设计在硅片上显影出L型的线条,如果采用一块掩模版单独曝光完成,则所形成的图形在L拐角处会有圆角产生,影响线条质量。
发明内容
本发明旨在解决现有技术中由于一次曝光由于图形的复杂程度和密度的原因所造成的成像不精准的问题。
有鉴于此,本发明提供一种掩模版承版台,包括:掩模版保持架;第一掩 模版安装位与第二掩模版安装位,设置于所述掩模版保持架上;标记版安装位,设置于所述掩模版保持架中间位置;多个掩模版真空吸附槽,分别设置于所述第一掩模版安装位与第二掩模版安装位中,用以吸附固定掩模版;角锥棱镜安装位,设置于所述掩模版保持架的一侧,用于安装角锥棱镜;微动电机安装位,设置于所述掩模版保持架上;反射镜镀膜面,位于所述掩模版保持架的一侧面。
进一步的,所述第一掩模版安装位与第二掩模版安装位为低于所述掩模版保持架上表面的方形凹槽。
进一步的,所述掩模版承版台还包括:角锥棱镜,安装于所述角锥棱镜安装位。
进一步的,所述掩模版承版台还包括:掩模版固定架,以辅助固定所述掩模版。
进一步的,所述掩模版承版台还包括:气孔堵头,以封住所述掩模版保持架上的气路工艺孔。
进一步的,所述掩模版承版台还包括:微动电机,设置于所述微动电机安装位,用以控制所述掩模版承版台的运动和姿态。
进一步的,所述微动电机包括:直线电机,以及音圈电机。
本发明还提供一种光刻设备,包括:提供辐射束的照明系统;将辐射光束投影到基底目标位置的投影系统;用于支撑掩模设备的掩模版承版台及用于支撑基底的工件台结构;所述掩模版承版台包括:掩模版保持架;第一掩模版安装位与第二掩模版安装位,设置于所述掩模版保持架上;标记版安装位,设置于所述掩模版保持架中间位置;多个掩模版真空吸附槽,分别设置于所述第一掩模版安装位与第二掩模版安装位中,用以吸附固定掩模版;角锥棱镜安装位,设置于所述掩模版保持架的一侧,用于安装角锥棱镜;微动电机安装位,设置于所述掩模版保持架上;反射镜镀膜面,位于所述掩模版保持架的一侧面。
进一步的,所述第一掩模版安装位与第二掩模版安装位为低于所述掩模版保持架上表面的方形凹槽。
进一步的,所述的光刻设备还包括角锥棱镜,安装于所述角锥棱镜安装位。
进一步的,所述的光刻设备还包括掩模版固定架,以辅助固定所述掩模版。
进一步的,所述的光刻设备还包括气孔堵头,以封住所述掩模版保持架上 的气路工艺孔。
进一步的,所述的光刻设备还包括微动电机,设置于所述微动电机安装位,用以控制所述掩模版承版台的运动和姿态。
进一步的,所述微动电机包括直线电机,以及音圈电机。
综上所述,本发明所采用的双曝光的技术,利用掩模版承版台将两块不同的掩模版依次在同一个涂胶层上分别进行独立的曝光,双曝光技术可以将二维的图案分解为两个更容易生成的一维图案,使得包含各种特征的掩模图形的最小特征尺寸的精密制造成为现实,而且本掩模版承版台可以安装在平版印刷系统中。
附图说明
图1所示为现有技术中硅片曝光形成的图形;
图2所示为本发明一实施例中的掩模版承版台结构示意图;
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