[发明专利]有机发光二极管显示器有效
| 申请号: | 200910006419.7 | 申请日: | 2009-02-12 |
| 公开(公告)号: | CN101656262A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
| 发明(设计)人: | 金恩雅 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;马翠平 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种改善了可视性的有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
OLED显示器包括多个有机发光二极管(OLED),其中,有机发光二极 管包括空穴注入电极、有机发射层和电子注入电极。由电子和空穴的复合产 生的激子从激发态降到基态时产生的能量来发射光,OLED显示器利用该光 来显示图像。
因此,OLED显示器具有自发光(self-luminance)特性,并且与液晶显 示器(LCD)不同,由于OLED显示器不需要单独的光源,所以OLED显示 器的厚度和重量可以减小。另外,由于OLED显示器具有高品质特性,如低 功耗、高亮度和高反应速度,所以OLED显示器更适合用于移动电子装置。
通常,OLED显示器的空穴注入电极、电子注入电极和其他金属线会反 射外部光。因此,当在明亮的地方使用OLED显示器时,由于外部光的反射 导致OLED显示器的黑色表示和对比度劣化。
为了解决这个问题,设置了偏振板和相位延迟板,从而抑制外部光的反 射。然而,当通过利用偏振板和相位延迟板来抑制外部光反射时,有机发射 层产生的光在通过偏振板和相位延迟板向外发射时会产生损失。
背景部分公开的上述信息仅用于提高对本发明背景的理解,因此,所述 信息可包含并不形成在该国对本领域的普通技术人员来说已经公知的现有技 术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种具有改善的可视性的有机发光二极管 (OLED)显示器。
根据本发明的一个实施例的示例性OLED显示器包括:基底;多个像素 电极,位于基底上;像素限定层,位于基底上并具有暴露所述多个像素电极 的多个开口;多个有机发射层,位于所述多个像素电极中的对应的像素电极 上;密封构件,包括多个凹进的透镜容器并覆盖所述多个有机发射层和像素 限定层;至少一个聚光器,位于所述多个透镜容器中,其中,对于所述多个 透镜容器中的每个,所述至少一个聚光器被构造成在像素限定层上形成聚光 区域。
像素限定层可包含吸光材料。
OLED显示器还可包括位于每个聚光区域的阻光件。OLED显示器还可 包括位于密封构件和像素限定层之间的填料构件,其中,位于每个聚光区域 的阻光件形成在填料构件上。
一个聚光器可覆盖多个像素电极。
密封构件的多个透镜容器中的每个可具有圆柱形表面或球形表面,所述 多个透镜容器可限定所述至少一个聚光器。
所述至少一个聚光器可包括填料构件,并可位于密封构件和像素限定层 之间。
在OLED显示器中,所述多个透镜容器可面向所述多个有机发射层。
所述至少一个聚光器可包含折射率大于密封构件的折射率的材料。
在OLED显示器中,所述多个透镜构件面向远离有机发射层的方向。
所述至少一个聚光器包含折射率小于密封构件的折射率的材料。
根据本发明另一实施例的示例性OLED显示器包括:基底;多个像素电 极,位于基底上;像素限定层,位于基底上并具有暴露所述多个像素电极的 多个开口;多个有机发射层,位于所述多个像素电极中的对应的像素电极上; 密封构件,包括多个凹进的透镜容器并覆盖所述多个有机发射层和像素限定 层;多个聚光器,位于所述多个透镜容器中的对应的透镜容器中,其中,所 述多个聚光器中的每个被构造成在像素限定层上形成聚光区域。
因此,根据本发明的示例性实施例,可通过抑制或减少外部光的反射来 提高OLED显示器的可视性。
附图说明
图1是根据本发明第一示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示 器的布局图。
图2是沿线II-II截取的图1的剖视图。
图3是图1的OLED显示器的局部透视图。
图4是示出图1中的OLED显示器的聚光器的位置的顶部平面图。
图5是沿线V-V截取的图4的剖视图。
图6是根据本发明第二示例性实施例的OLED显示器的局部剖视图。
图7是根据本发明第三示例性实施例的OLED显示器的局部剖视图。
图8是根据本发明第四示例性实施例的OLED显示器的局部剖视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





