[发明专利]制作斥液性挡墙的方法有效
申请号: | 200910006281.0 | 申请日: | 2009-02-10 |
公开(公告)号: | CN101800166A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
发明(设计)人: | 宋兆峰;吕志平;徐振谆;陈富港;李裕正 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/312;H01L21/768;G03F7/20 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制作 斥液性 挡墙 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种制作斥液性挡墙的方法,特别是涉及一种在基板图案化后 定义亲斥水性的方法,其在黄光工艺中加入斥液膜工艺,使得经黄光工艺所制 作的图案化光阻表面为斥液性,由于基板与光阻表面具表面能的差异,有利液 滴的喷印达到自我定位与互不混墨的效果。
背景技术
近年来,随着计算机与信息网络的进步,显示器扮演着不可或缺的角色。 在新一代的显示器中,尤其以有机电激发光(Organic Electro-Luminescence, OEL)受到更多的重视,其主要分成两种系统,一种是小分子系统的有机发光 二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED),另一种是以共轭高分子为材 料的电激发光二极管(Polymer Light-Emitting Diode,PLED)。PLED相较于 OLED的优势在于工艺成本较低,耐热性较佳,耗电较低,且具有溶液特性, 可以用喷墨印制(Ink Jet Printing)技术直接将红、蓝、绿三原色喷在像素上, 比传统用旋转涂布(spin-coating)的方法更为简单,且可大面积制作。然而, 在喷墨的工艺中,红、蓝、绿三原色喷墨位置的重复对位的高精准度不易达成, 使得PLED发展脚步较慢,为达到喷印液滴自我定位、不互混墨的目的,需要 对基板表面做差异性处理。
一般显示器对基板表面处理方式,是先对基板图案化,定义出墨滴欲定位 的位置,之后于定位点之间制作挡墙,如图1所示。图1挡墙结构以一般现有 的微影蚀刻工艺,在基板上10形成多个档墙(bank)11。之后再对图案化后 的基板10表面做亲液性处理以形成一亲液层12,而对挡墙11表面做斥液性 处理以形成一斥液层13。如此一来,墨滴会因为表面差异性而形成于图案化 基板上,且因为表面张力和挡墙11的缘故,不会溢流到其它墨色的区域。
为使喷印液滴达到自我定位、不互混墨的目的,目前已有若干现有技术。
美国专利US 7015503提出一薄膜图案化基材,于一玻璃基板上,制造一 无机材料挡墙,用电浆技术对表面进行改质,让基材表面具亲液性,而让挡墙 的上表面具斥液性,达到不互相混墨的效果。
美国专利US 20060115749提出在挡墙制作后,先全部覆盖一层亲水材料, 之后在于挡墙上覆盖一层斥水材料,其缺点是工艺较为繁琐。
美国专利US20070066080提出一种使表面具亲斥液性差异的方法,使用 含有无机微粒的光阻于基板上制作一高分子档墙,并配合电浆处理,使基板与 挡墙有亲斥水性差异。
美国专利US7172842提出一彩色滤光片的制作方法,于无机或有机基板 上形成一挡墙,先沉积一亲液膜,之后用印压方式沉积一斥液膜于挡墙的上表 面,达到不互相混墨的效果。虽然此专利可适用于塑料基板上,但仍需制作挡 墙的步骤,其工艺较为繁琐。
美国专利US20070212621提出一种使表面具亲斥液性差异的方法,使用 两种亲斥液性不同干膜堆叠的方法,再配合黄光工艺制作,使基板与挡墙有亲 斥水性差异。
美国专利US6399257提出一种使表面具亲斥液性差异的方法,使用含有 TiO2、SnO2、ZnO、WO3、SrTiO3、Bi2O3或Fe2O3的光阻材料,使得光阻材料 在紫外光照射后,产生亲斥水的差异,此专利虽可利用照光产生亲斥水的差异, 但若需要挡墙结构,仍需另外制作。再者,此一含有TiO2、SnO2、ZnO、WO3、 SrTiO3、Bi2O3或Fe2O3的光阻材料,必需要高温烧结(>400℃)才具有照光 产生亲斥水的特性。
因此,本发明提供一种制作斥液性挡墙的方法,其在黄光工艺中加入斥液 膜工艺,使得经黄光工艺所制作的图案化光阻表面为斥液性,由于基板与光阻 表面具表面能的差异,有利液滴的喷印达到自我定位与互不混墨的效果。
发明内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造