[发明专利]制作斥液性挡墙的方法有效
| 申请号： | 200910006281.0 | 申请日： | 2009-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101800166A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 宋兆峰;吕志平;徐振谆;陈富港;李裕正 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/312;H01L21/768;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作 斥液性 挡墙 方法 | ||
1.一种制作斥液性挡墙的方法，其特征在于，包括：
提供一基板，该基板已进行一亲液处理程序，以在该基板表面形成一亲液 层，该基板上具有一光阻层；
形成一斥液性薄膜于该光阻层上；
进行一曝光工艺以一紫外光源透过一光罩照射该光阻层及该斥液性薄膜； 以及
进行显影工艺，以将该光阻层及该斥液性薄膜图案化，使得该图案化光阻 表面的斥液性大于该基板表面的斥液性。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该光阻层为正光阻、负光阻 或干膜光阻。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该斥液性薄膜为一自组装薄 膜。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该自组装薄膜为OTS或FOTS。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该基板为一可挠性基板。
6.一种制作斥液性挡墙的方法，其特征在于，包括：
提供一基板，该基板已进行一亲液处理程序，以在该基板表面形成一亲液 层，该基板上具有一光阻层；
进行一曝光工艺以一紫外光源透过一光罩照射该光阻层；
形成一斥液性薄膜于该光阻层上；以及
进行显影工艺，以将该光阻层及该斥液性薄膜图案化，使得该图案化光阻 表面的斥液性大于该基板表面的斥液性。
7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该光阻层为正光阻、负光阻 或干膜光阻。
8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该斥液性薄膜为一自组装薄 膜。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该自组装薄膜为OTS或FOTS。
10.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该基板为一可挠性基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
