[发明专利]校正电容性构件的增益的方法以及实现该方法的设备有效

专利信息
申请号: 200880122223.8 申请日: 2008-12-19
公开(公告)号: CN101903779A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: J-M·卡龙;V·拉戈 申请(专利权)人: 萨甘安全防护公司
主分类号: G01P15/13 分类号: G01P15/13;G01C19/56
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 李玲;张东梅
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 校正 电容 构件 增益 方法 以及 实现 设备
【权利要求书】:

1.一种校正电容性构件的增益的方法,所述电容性构件包括能彼此相对移动的电极,且在所述电极之间建立起剩余场,所述方法的特征在于包括以下步骤:

·向所述电极之一施加值低于阈值的减少的DC偏压(10),从而能够测量由所述减少的偏压产生的剩余场;

·测量来自所述电容性构件的输出信号(11);以及

·作为所测得的输出信号的函数来计算对所述电容性构件的增益的校正(15)。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述减小的偏压(10、12)大于估计的与所述剩余场等效的偏压(VE)。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述增益校正的计算包括:在正施加着减小的偏压的同时根据对来自所述电容性构件的输出信号的测量(11)来确定所述剩余场的方向的步骤(20)、以及在不施加减小的偏压的同时根据对来自所述电容性构件的输出信号的测量(11)来确定所述剩余场的值的步骤(21)。

4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述增益校正的计算包括从所述输出信号减去直接由所述减小的偏压导致的分量的步骤。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法包括针对具有相同值但符号相反的减小的偏压对所述输出信号进行两次连续测量的步骤(11、13),以及取所得输出信号的平均值的步骤(14)。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法包括施加标称偏压的在前步骤(8)。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法包括初始化和增益校正存储阶段,随后是施加所述校正的阶段。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法与纳入在轴对称振动陀螺仪中的电容性构件一起使用,所述轴对称振动陀螺仪产生能移到各种位置的振动,所述方法的特征在于所述增益校正是在多个振动位置进行的。

9.一种用于校正电容性构件的增益的设备,所述电容性构件包括能彼此相对移动的电极以及用于将偏压信号施加于所述电极之一的装置,所述设备的特征在于包括:用于向所述电极之一施加值低于阈值的减少的DC偏压(10)的装置,从而能够测量由所述减少的偏压产生的剩余场;用于测量来自所述电容性构件的输出信号的装置;以及用于作为所测得的输出信号的函数来校正所述电容性构件的增益的装置。

10.如权利要求9所述的设备,其特征在于,所述设备被纳入在轴对称振动陀螺仪中,所述轴对称振动陀螺仪产生能被移到各种位置的振动,所述设备包括用于存储对多个振动位置的增益校正的装置。

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