[发明专利]发光器件封装及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光器件封装及其制造方法。

背景技术

发光二极管(LED)是一种将电流转换成光的半导体发光器件。

从发光二极管发射的光的波长是根据用于制造发光二极管的半导体材料而确定的。这是因为所发射的光的波长对应于半导体材料的带隙，带隙被定义为价带中的电子与导带中的电子之间的能量差。

近来，随着LED的亮度的增加，LED被用作显示设备、交通工具和照明设备的光源。基于具有多种颜色的LED的组合或者磷光体的使用，能够实现具有优良的照明效率的发射白色光的LED。

发明内容

技术问题

实施例提供了一种具有新型结构的发光器件封装及其制造方法。

实施例提供了一种具有改进的电学稳定性的发光器件封装及其制造方法。

技术方案

在实施例中，一种发光器件封装包括：基板；基板上的发光器件；齐纳二极管，包括第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，第一传导类型杂质区被放置在基板中，两个第二传导类型杂质区被分离地放置在第一传导类型杂质区的两个区域中；以及第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到第二传导类型杂质区和发光器件。

在实施例中，一种发光器件封装包括：基板；基板上的发光器件；齐纳二极管，包括基板中的第一传导类型杂质区和两个第二传导类型杂质区，两个第二传导类型杂质区被分离地放置在两个区域中；第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到第二传导类型杂质区和发光器件；以及在基板与电极层中的至少一个电极层之间的绝缘层。

在实施例中，一种用于制造发光器件封装的方法包括：形成齐纳二极管，包括：在基板中形成第一传导类型杂质区，以及形成分离地放置在第一传导类型杂质区的两个区域中的两个第二传导类型杂质区；在基板上安装发光器件；以及形成第一电极层和第二电极层，它们中的每一个均电连接到发光器件和齐纳二极管。

有益效果

实施例能够提供一种具有新型结构的发光器件封装及其制造方法。

实施例能够提供一种具有改进的电学稳定性的发光器件封装及其制造方法。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的横截面视图。

图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的等效电路视图。

图3至图8是示出用于制造根据第一实施例的发光器件封装的方法的横截面视图。

图9是示出根据第一实施例的发光器件封装中的基板中的多个发光器件的平面视图。

图10是示出在图9的基板底部的多个齐纳二极管的后视图。

图11是示出根据第二实施例的发光器件封装的横截面视图。

图12是示出根据第三实施例的发光器件封装的横截面视图。

图13是示出根据一个实施例的发光器件封装中的齐纳二极管的电压-电流特性的曲线图。

具体实施方式

在下文中，现在将参照附图对根据本发明实施例的发光器件封装及其制造方法进行描述。

对于本领域的技术人员将明显的是，在不偏离本发明的精神或范围的前提下，可以在本发明中进行各种修改和变化。因此，本发明意在涵盖所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变化。

附图中的相同的附图标记表示相同的元件，并且因此将省略它们的描述。在附图中，为清楚起见放大了层和区的厚度。

在以下描述中，将理解，当层(或膜)被称作在另一层或基板“上”或“下”时，它可以直接在另一层或基板“上”或“下”，或者还可以存在中间层。进一步地，将理解，当诸如表面的组成元件被称作“内部的”时，这意味着该表面比其它组成元件距器件的外侧更远。

将进一步理解，附图中的组成元件的取向不限于此。另外，在提到词“直接地”时，意指不存在中间的组成元件。词“和/或”意指一个或更多个相关组成元件或者其组合是可能的。

图1是示出根据第一实施例的发光器件封装的横截面视图，而图2是示出根据第一实施例的发光器件封装的等效电路视图。

参照图1，在根据一个实施例的发光器件封装中，在基板10中形成空腔11，并且在基板10的表面上形成绝缘层20。

发光器件30安装在基板10的空腔11中并通过导线40电连接到第一电极层51和第二电极层52。

在基板10的底部放置第一传导类型杂质区61，并且两个第二传导类型杂质区62在第一传导类型杂质区61中彼此分隔。第二传导类型杂质区62分别电连接到第一电极层51和第二电极层52。

第一传导类型杂质区61和第二传导类型杂质区62形成了齐纳二极管60。