[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200880111638.5 | 申请日: | 2008-10-13 |
公开(公告)号: | CN101828270A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 金根浩;宋镛先;元裕镐 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;李德山 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及发光器件及其制造方法。
背景技术
LED(发光二极管)是用于将电流转换为光的半导体发光器件。
从这样的LED发射的光的波长根据用于LED的半导体材料而变化。这是因为光的波长根据表示价带电子和导带电子之间的能隙的半导体材料的带隙而变化。
近来,随着LED的亮度逐步增加,LED被用作显示器的光源、交通工具的照明和光源。以优良效率发白光的LED可通过使用荧光材料或组合呈现多种颜色的LED来实现。
发明内容
技术问题
实施方式提供具有新颖结构的发光器件及其制造方法。
实施方式提供可被交流(AC)电源驱动的发光器件及其制造方法。
技术方案
一种实施方式中的发光器件包括:导电衬底;在所述导电衬底上的绝缘层;在所述绝缘层上的多个发光器件单元;将所述发光器件单元相互电连接的连接层;将所述导电衬底与至少一个发光器件单元电连接的第一接触部分;以及在所述至少一个发光器件单元上的第二接触部分。
一种实施方式中的发光器件包括:导电衬底;在所述导电衬底上的绝缘层;被所述绝缘层彼此电隔离的多个发光器件单元;将所述发光器件单元相互电连接的连接层;通过穿过所述绝缘层将所述导电衬底与至少一个发光器件单元电连接的第一接触部分;以及在所述至少一个发光器件单元上的第二接触部分。
一种实施方式中的发光器件包括以下步骤:在衬底上形成第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层;通过选择性地去除所述第一导电半导体层、所述有源层以及所述第二导电半导体层来形成多个发光器件单元;在所述发光器件单元上形成第一绝缘层,以部分地暴露出所述第一和第二导电半导体层;形成将所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层电连接的连接层,使得所述发光器件单元相互电连接;在所述第一绝缘层、所述发光器件单元和所述连接层上形成第二绝缘层,以部分地暴露出所述发光器件单元;通过选择性地去除所述第二绝缘层来形成第一接触孔;在所述第一接触孔中形成第一接触部分,和在所述第二绝缘层上形成导电衬底;以及去除所述衬底和形成与至少一个发光器件单元电连接的第二接触部分。
有益效果
所述实施方式能够提供具有新颖结构的发光器件及其制造方法。
所述实施方式能够提供可以被AC电源驱动的发光器件及其制造方法。
附图说明
图1是示出根据一种实施方式的发光器件与AC电源电连接的结构的视图;以及
图2到图9是示出根据一种实施方式的发光器件及其制造方法的截面图。
具体实施方式
下文中将参照附图详细描述根据本发明的一种实施方式。
然而,本发明可以以多种不同形式实现,而不应被理解为限于此处阐述的示例性实施方式。相反,这些示例性实施方式的提供是为了使本公开详尽且完整,能够向本领域技术人员完全地传达本发明的范围。
在所有附图中用相同的附图标记代表相同元件。在附图中,可为了清楚而夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。
当比如层、区域或衬底等元件被称为在其它元件“上”或“下”时,应理解其可以直接在其它元件上或者可能存在中间元件。当元件的一部分(比如表面等)用术语“内部(的)”指代时,应理解该部分与元件的其它部分相比距离某器件较远。
应理解这些术语除了附图中示出的方向以外还包括器件的其它方向。最后,当元件被称为“直接”在其它元件“上”时,不存在中间元件。如此处所用的,术语“和/或”包括相关的所列举术语中的一个或多个术语的任意和全部的组合。
图1是示出根据一种实施方式的发光器件与AC电源电连接的结构的视图。
根据本实施方式的发光器件100包括具有彼此串联的多个发光器件单元300的第一阵列块110,以及具有彼此串联的多个发光器件单元300的第二阵列块120。
第一和第二阵列块110和120在第一和第二节点151和152彼此并联,以接收来自AC电源130的电力,使得第一和第二阵列块110和120能够被从AC电源130提供的电压交替驱动。基于第一和第二节点151和152,第一阵列块110中的发光器件单元300具有与第二阵列块120中的发光器件单元300相反的极性布置。
第一阵列块110中的发光器件单元300的数量可以与第二阵列块120中的发光器件单元300的数量相等。因而,即使第一和第二阵列块110和120被交替驱动,从发光器件100发出的光的亮度仍然不变。
发光器件单元300可以以发光二极管的形式制造。例如,该发光二极管可以包括GaN基半导体层。
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