[发明专利]发光器件及其制造方法有效
申请号: | 200880111638.5 | 申请日: | 2008-10-13 |
公开(公告)号: | CN101828270A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 金根浩;宋镛先;元裕镐 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;李德山 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光器件,包括:
导电衬底;
在所述导电衬底上的绝缘层;
在所述绝缘层上的多个发光器件单元;
将所述发光器件单元相互电连接的连接层;
将所述导电衬底与至少一个发光器件单元电连接的第一接触部分;以及
在所述至少一个发光器件单元上的第二接触部分。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述发光器件单元包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层。
3.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述发光器件单元包括在所述第二导电半导体层上或在所述第二导电半导体层下的欧姆接触层。
4.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述连接层将所述发光器件单元的第一导电半导体层与相邻的发光器件单元的第二导电半导体层电连接。
5.根据权利要求2所述的发光器件,其中所述第一接触部分将所述导电衬底与所述第二导电半导体层电连接,且所述第二接触部分与所述第一导电半导体层电连接。
6.根据权利要求2所述的发光器件,包括在所述第一导电半导体层上的透明电极层,其中所述第二接触部分在所述透明电极层上形成。
7.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述绝缘层包括第一和第二绝缘层,且所述连接层至少形成在所述第一和第二绝缘层之间的部分。
8.根据权利要求3所述的发光器件,其中所述欧姆接触层包括欧姆金属层和反射金属层中的至少一种。
9.一种发光器件,包括:
导电衬底;
在所述导电衬底上的绝缘层;
被所述绝缘层彼此电隔离的多个发光器件单元;
将所述发光器件单元相互电连接的连接层;
通过穿过所述绝缘层将所述导电衬底与至少一个发光器件单元电连接的第一接触部分;以及
在所述至少一个发光器件单元上的第二接触部分。
10.根据权利要求9所述的发光器件,其中所述导电衬底通过电镀工艺来形成。
11.根据权利要求9所述的发光器件,其中所述发光器件单元包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层,且所述第二接触部分在所述第一导电半导体层上形成。
12.根据权利要求11所述的发光器件,包括在所述第二导电半导体层下的欧姆接触层,其中所述第一接触部分在所述欧姆接触层下形成。
13.根据权利要求9所述的发光器件,其中所述绝缘层包括具有至少一个通孔的第一绝缘层以及在所述第一绝缘层和所述连接层下的第二绝缘层。
14.一种用于制造发光器件的方法,所述方法包括以下步骤:
在衬底上形成导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层;
通过选择性地去除所述第一导电半导体层、所述有源层以及所述第二导电半导体层来形成多个发光器件单元;
在所述发光器件单元上形成第一绝缘层,以部分地暴露出所述第一和第二导电半导体层;
形成将所述第一导电半导体层与所述第二导电半导体层电连接的连接层,使得所述发光器件单元相互电连接;
在所述第一绝缘层、所述发光器件单元和所述连接层上形成第二绝缘层,以部分地暴露出所述发光器件单元;
通过选择性地去除所述第二绝缘层来形成第一接触孔;
在所述第一接触孔中形成第一接触部分,并在所述第二绝缘层上形成导电衬底;以及
去除所述衬底,并形成与至少一个发光器件单元电连接的第二接触部分。
15.根据权利要求14所述的发光器件,其中将所述第二导电半导体层、所述有源层以及所述第一导电半导体层垂直布置,所述第一接触部分与所述第二导电半导体层电连接,以及所述第二接触部分与所述第一导电半导体层电连接。
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