[发明专利]使用两个被接合的层的可编程ROM及操作方法

说明书

技术领域

本发明总体涉及半导体，具体地讲，涉及半导体只读存储器(ROM) 及其编程。

背景技术

已知为3D(三维)集成技术的集成技术在单个集成电路中使用各 种类型电路的分层的堆叠，以减少整个电路的引脚。3D集成技术的一 个应用是用于半导体存储器或用于存储器加上逻辑电路。然而，这种 3D技术涉及复杂的半导体制造技术。

通常在集成电路中实现可编程的只读存储器(ROM)。对这种存 储器进行的编程可以在存储器制造之后，并且该情况被已知为现场可 编程；或在存储器制造期间，该情况被已知为掩模只读存储器。制造 之后被编程的一种存储器是现场可编程存储器，并且典型地，其使用 熔丝或反熔丝。现场可编程存储器需要在掩模ROM中不需要的额外的 电路，并且另外的电路占用电路面积并增加成本。例如，执行现场编 程涉及高编程电压。另外，现场编程慢，并消耗大量的测试设备时间。 通过使用编程掩模来在制造期间进行编程的存储器避免现场可编程 ROM的慢速编程的开销。但是，其缺点在于，该集成电路和客户定制 集成电路相似，并且需要特有的工艺和处理。因此对这种类型的产品， 必须更加仔细地对其库存控制进行监测。另外，如果在制造过程中编 程发生得相对较早，那么ROM的掩模编程步骤与集成电路完成之间的 制造时间量对用户来说是一个问题。

为了增加与半导体存储器关联的封装密度，有些人已实现了多芯 片存储模块。这些模块通常由不可编程的动态随机存取存储器 (DRAM)构成。如果要实现可编程存储器，则这些存储器通常为 FLASH存储器。然而，FLASH存储器模块与ROM相比贵得多，并且 其数据安全性比ROM产品低。

附图说明

本发明通过实例的方式示出，并且其不限于附图，在所述附图中 同样的标记表示相似的元件。为了简化和清晰起见，示出了附图中的 元件，但这些元件不一定按比例绘制。

图1以局部示意的形式示出根据本发明的被编程的只读存储器 (ROM)；

图2以局部示意的形式示出在第一层中被实现的图1的ROM的一 部分；

图3以局部示意的形式示出在第二层中被实现的图1的ROM的一 部分；

图4以透视图的形式示出根据为完成图1的ROM的编程的第一个 实施例的沿着第一方向的第一层到第二层的连接；

图5以透视的形式示出根据图1和4示出的编程的沿着第二方向 的第一层和第二层的连接；

图6以透视的形式示出根据为完成图1的ROM编程的第二实施例 的沿着第一方向的第一层和第二层的连接；以及

图7以透视的形式示出根据图1和图6示出的编程的沿着第二方 向的第一层和第二层的连接。

具体实施方式