[发明专利]使用两个被接合的层的可编程ROM及操作方法

权利要求书

1.一种可编程只读存储器，包括：

第一层，所述第一层包括功能性有源装置和至少一个未编程的有 源装置；

第二层，所述第二层至少包括与所述至少一个未编程的有源装置 关联的导电线路；以及

被接合的层间连接，所述被接合的层间连接用于将所述第一层连 接到所述第二层，所述被接合的层间连接包括至少一个被接合的可编 程层间连接，以用于对所述至少一个未编程的有源装置进行编程，并 且用于将所述导电线路与所述至少一个未编程的有源装置关联。

2.根据权利要求1所述的可编程只读存储器，其中，所述功能性 有源装置还包括：

多个列选择晶体管；

多个字线驱动器；以及

感应放大器。

3.根据权利要求2所述的可编程只读存储器，其中，所述至少一 个未编程的有源装置还包括：

晶体管阵列，所述晶体管阵列位于所述第一层中，并且形成多个 行和列，所述晶体管阵列中的每个晶体管具有一个未电连接的电流电 极。

4.根据权利要求1所述的可编程只读存储器，其中，所述至少一 个被接合的可编程层间连接包括闭合可编程层间连接或开放可编程层 间连接。

5.根据权利要求4所述的可编程只读存储器，进一步地，其中所 述闭合可编程层间连接表示第一逻辑状态，并且所述开放可编程层间 连接表示第二逻辑状态，所述第二逻辑状态不同于所述第一逻辑状态。

6.根据权利要求4所述的可编程只读存储器，进一步地，其中所 述闭合可编程层间连接包括微焊盘连接的存在，并且其中所述开放可 编程层间连接包括在接合界面处不存在微焊盘连接。

7.根据权利要求1所述的可编程只读存储器，其中，所述被接合 的层间连接还包括被接合的微焊盘连接。

8.根据权利要求7所述的可编程只读存储器，其中，所述被接合 的微焊盘连接包括从(i)Cu₃Sn合金接合、(ii)Cu-Cu接合、以及(iii) Au-Au接合中选择的一个。

9.根据权利要求1所述的可编程只读存储器，其中，对所述至少 一个被接合的可编程层间连接的编程通过从由所述第一层、所述第二 层与所述第一层和所述第二层的组合构成的组中选择的一个上的微焊 盘的掩模图案化来限定。

10.根据权利要求1所述的可编程只读存储器，其中，所述第一 层和所述第二层中的至少一个包括具有至少一个穿透衬底的导通孔的 衬底，并且其中，所述至少一个被接合的可编程层间连接还包括(i) 由被接合的微焊盘和穿透衬底的导通孔形成的闭合可编程层间连接、 或(ii)通过在接合界面处不存在微焊盘和穿透衬底的导通孔形成的开 放可编程层间连接。

11.根据权利要求10所述的可编程只读存储器，进一步地，其中 所述第一层包括具有连接到所述至少一个未编程的有源装置的至少一 个穿透衬底的导通孔的衬底，并且其中，所述至少一个被接合的可编 程层间连接还包括使用被接合的微焊盘和穿透衬底的导通孔而被编程 的至少一个未编程的有源装置。

12.根据权利要求10所述的可编程只读存储器，进一步地，其中 所述第二层包括具有连接到所述导电线路的至少一个穿透衬底的导通 孔的衬底，并且其中，所述至少一个被接合的可编程层间连接还包含 导电材料，用于为所述至少一个未编程的有源装置进行编程，并且用 于利用所述至少一个穿透衬底的导通孔，将所述导电线路连接到所述 未编程的有源装置。

13.根据权利要求1所述的可编程只读存储器，其中，所述第一 层包括半导体晶圆或半导体管芯，并且其中，所述第二层包括半导体 晶圆或半导体管芯。

14.根据权利要求1所述的可编程只读存储器，进一步地，其中 所述功能性有源装置和所述至少一个未编程的有源装置包括芯片上系 统的部分。