[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一导电膜和第二导电膜；

在第一导电膜和第二导电膜上形成第一绝缘膜；

去除在第一导电膜上形成的第一绝缘膜，使得第一绝缘膜留在第 二导电膜上；

在第一导电膜和第二导电膜上形成第二绝缘膜；

在第一导电膜上形成电荷积聚层，第二绝缘膜插入在第一导电膜 和电荷积聚层之间，使得电荷积聚层与第二导电膜不交叠；

在电荷积聚层上形成第三绝缘膜，使得第三绝缘膜与第二导电膜 不交叠；

在第三绝缘膜上形成与第一导电膜交叠的第一半导体膜；

在第二绝缘膜上形成与第二导电膜交叠的第二半导体膜、以及既 不与第一导电膜也不与第二导电膜交叠的第三半导体膜；

在第一半导体膜、第二半导体膜以及第三半导体膜上形成第四绝 缘膜；以及

在第三半导体膜上形成第三导电膜，第四绝缘膜插入在第三半导 体膜和第三导电膜之间。

2.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，该方法还包括以下 步骤：

在第四绝缘膜上形成与第一半导体膜交叠的第四导电膜；以及

在该第四绝缘膜上形成与第二半导体膜交叠的第五导电膜。

3.根据权利要求1的制造半导体器件的方法，

其中第三绝缘膜和第四绝缘膜中的每一个具有比第一绝缘膜的 厚度小的厚度。

4.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成第一导电膜和第二导电膜；

在第一导电膜和第二导电膜上形成第一绝缘膜；

去除在第一导电膜上形成的第一绝缘膜，使得第一绝缘膜留在第 二导电膜上；

在第一导电膜和第一绝缘膜上形成第二绝缘膜；

在第一导电膜上形成电荷积聚层，第二绝缘膜插入在第一导电膜 和电荷积聚层之间，使得电荷积聚层与第二导电膜不交叠；

在电荷积聚层上形成隧穿绝缘膜，使得隧穿绝缘膜与第二导电膜 不交叠；

在隧穿绝缘膜上形成与第一导电膜交叠的第一半导体膜；

在第二绝缘膜上形成与第二导电膜交叠的第二半导体膜、以及既 不与第一导电膜也不与第二导电膜交叠的第三半导体膜；

在第一半导体膜、第二半导体膜以及第三半导体膜上形成第三绝 缘膜；以及

在第三半导体膜上形成第三导电膜，第三绝缘膜插入在第三半导 体膜和第三导电膜之间。

5.根据权利要求4的制造半导体器件的方法，该方法还包括以下 步骤：

在第三绝缘膜上形成与第一半导体膜交叠的第四导电膜；以及

形成与第二半导体膜交叠的第五导电膜。

6.根据权利要求4的制造半导体器件的方法，

其中第二绝缘膜、第三绝缘膜以及隧穿绝缘膜中的每一个具有比 第一绝缘膜的厚度小的厚度。

7.根据权利要求1或4的制造半导体器件的方法，该方法还包括 以下步骤：

在形成第三导电膜之后，在第一半导体膜和第二半导体膜上形成 抗蚀剂；以及

将杂质元素引入第一半导体膜、第二半导体膜以及第三半导体膜 中。

8.根据权利要求1或4的制造半导体器件的方法，

其中电荷积聚层由含氮的绝缘材料形成。

9.根据权利要求1或4的制造半导体器件的方法，

其中电荷积聚层由含氮的绝缘材料形成，并且

其中电荷积聚层包含导电颗粒或半导体颗粒。

10.根据权利要求1或4的制造半导体器件的方法，

其中电荷积聚层由导电材料形成。

11.根据权利要求4的制造半导体器件的方法，

其中通过由等离子体处理氧化电荷积聚层来形成隧穿绝缘膜。