[发明专利]半导体集成电路装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路装置，更具体地，涉及适于要嵌入设 备中的应用的半导体集成电路装置。

背景技术

通常，诸如LCD(液晶显示器)或CRT(阴极射线管)之类的显 示装置的显示数据存储于DRAM中，所述DRAM用作显示数据的主存 储装置或专用存储装置。LCD控制器在需要显示数据时向DRAM或 DRAM控制器发送请求，并从DRAM读出显示数据以根据该显示数据 在LCD上显示图像和字符。

然而，当有必要允许以低功耗显示图像时，响应于来自LCD控制 器的请求来从DRAM中读出显示数据的系统在功耗方面是浪费的。这 是因为频繁地执行以下操作：响应于来自LCD控制器的请求打开 DRAM的所请求页面，并在读出必要的显示数据之后频繁关闭(预充 电)所请求的页面。这里，术语“页面”是指将要通过低激活(raw activation)而激活的DRAM的数据单元大小。

另一方面，提出了一种技术，在这种技术中，为了减少打开/关闭 DRAM页面的次数从而减小功耗，通过不关闭页面而使页面保持打开 状态。例如，根据在专利文献1(日本专利特许公开No.10-105367)中 公开的技术，将访问控制在以下状态：在该状态下，当前正在访问的 DRAM的存储体的页面保持打开。

此外，在专利文献1中公开的技术中，将帧数据设置为包含于图 像存储器的页面中，每对相邻矩形区域的帧数据适于分别与任意存储 体相对应。那么，以后将会访问的任何存储体的页面将被提前打开， 使得即使在要访问的存储体改变时也可以成功访问任何存储体。

如上所述，在专利文献1中，通过采用要任意访问的存储体的并 行性，提高了数据传输的速率。然而，由于每个存储体的页面保持打 开，并从而由于DRAM需要总是保持激活，所以无法将DRAM切换至 另一模式，例如，切换至诸如自刷新模式之类的节能模式，从而功率 消耗仍然很大。

为了解决上述问题，提出了一种方法，在该方法中，将LCD的所 有显示数据存储在缓冲器中，其中，所述缓冲器与LCD控制器实现在 相同的半导体集成电路装置中，并且是由SRAM和触发器而不是由 DRAM构成的。通过这么做，将完全不需要访问DRAM。因此，可以 使DRAM转换到节能模式，从而降低功耗。

然而，近年来LCD的显示器尺寸提高了，将所有显示数据存储在 缓冲器中不再现实。例如，对于具有18位彩色显示器的VGA尺寸LCD， 显示数据的大小超过1兆字节。如果用于存储所有前述数据的缓冲器与 LCD控制器实现在相同的半导体集成电路装置中，则电路的面积将增 大，这在半导体集成电路装置的制造成本方面是不利的。因此，如果 此后LCD的显示器尺寸增大，则有必要从DRAM读出显示数据，功耗 问题将再次出现。

此外，当要显示的图像比LCD的显示器尺寸小时，以及在将图像 放大以在LCD上显示时，有必要多次读出LCD相同水平行的显示数据。 因此，有必要从DRAM重复地读出相同水平行的数据，这也将提高功 耗。

专利文献1：日本专利特许公开No.10-105367

发明内容

要解决的问题

鉴于上述问题而提出了本发明，本发明的目的是提供一种半导体 集成电路装置，能够以低功耗从存储器中高效地读出显示装置的显示 数据并将该显示数据发送至显示装置控制器，同时实现面积减小。

解决问题的手段

本发明的半导体集成电路是一种连接至存储器的半导体集成电 路装置，在存储器中存储显示装置的显示数据，所述半导体集成电路 装置适于从存储器读出显示数据以将该显示数据传输至显示装置，其 中所述半导体集成电路装置包括：

显示数据缓冲器，用于保存所述显示数据；

存储器控制器，用于按照所述存储器的页面大小单元预取所述显 示数据，以使该显示数据被所述显示数据缓冲器所保存，当完成页面 的预取时，关闭所述页面以使所述存储器转换至节能模式；以及

显示装置控制器，用于将所述显示数据缓冲器中所保存的显示数 据传输至所述显示装置。

在这种情况下，可以包括专用总线，用于连接显示装置控制器与 显示数据缓冲器之间的数据传输。

此外，可以如下配置：提供两个显示数据缓冲器作为显示数据缓 冲器，每个显示数据缓冲器具有能保存存储器页面大小的显示数据的 容量，以及