[发明专利]载置台构造、以及用其的处理装置和该装置的使用方法无效
| 申请号: | 200880004230.8 | 申请日: | 2008-02-04 |
| 公开(公告)号: | CN101606227A | 公开(公告)日: | 2009-12-16 |
| 发明(设计)人: | 川村刚平;小林保男;野沢俊久;石桥清隆 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/683;C23C16/458;C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李 伟;舒艳君 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 载置台 构造 以及 处理 装置 使用方法 | ||
1.一种载置台构造,在对基板进行规定的处理的构成为可抽真空 的处理容器内支撑上述基板,其特征在于,具有:
载置台主体,其载置上述基板;
升降销机构,其构成为将上述基板降到上述载置台主体,从上述载 置台主体抬起上述基板;
阶梯部,其形成于上述载置台主体,使得载置在上述载置台主体上 的上述基板的背面周缘部暴露于被供给到上述处理容器的处理气体中, 上述载置台构成为中央部分侧增高一截而由其端面形成上述阶梯部,或 者中央部分侧与周边部侧的高度相同并形成有沿载置在上述载置台主 体的上述基板的外周端的第一槽部,该阶梯部是上述第一槽部的一部 分。
2.如权利要求1所记载的载置台构造,其特征在于,上述载置台 主体包括保持载置于该载置台主体的上述基板的静电吸盘。
3.如权利要求1所记载的载置台构造,其特征在于,上述载置台 主体具有多个凸部,在上述基板的下方形成有在上述基板与该多个凸部 接触时从上述基板的背面产生的水蒸气逃逸的空间。
4.如权利要求1所记载的载置台构造,其特征在于,上述载置台 主体具有多个第二槽部,在上述基板的下方形成有在上述基板与上述载 置台主体接触时从上述基板的背面产生的水蒸气逃逸的空间。
5.如权利要求3所记载的载置台构造,其特征在于,上述凸部的 上端部与上述基板的背面接触的接触面积相对于上述载置台主体的在 上述阶梯部内侧的区域的面积的比例和、上述空间的深度设定为,由上 述水蒸气施加给上述基板的压力小于上述基板的每单位面积的重量。
6.如权利要求4所记载的载置台构造,其特征在于,上述载置台 主体的在上述阶梯部内侧的区域的除去上述第二槽部的面积相对于该 区域的面积的比例和、上述空间的深度被设定为,由上述水蒸气施加给 上述基板的压力小于上述基板的每单位面积的重量。
7.如权利要求1所记载的载置台构造,其特征在于,还具有可升 降的引导销机构,该引导销机构防止在使上述基板接触上述载置台主体 时能产生的位移。
8.如权利要求7所记载的载置台构造,其特征在于,上述引导销 机构与上述升降销机构被一体化。
9.如权利要求7所记载的载置台构造,其特征在于,上述引导销 机构与上述升降销机构分别单独地构成。
10.如权利要求1所记载的载置台构造,其特征在于,上述载置台 主体还具有对上述基板加热的加热部。
11.一种处理装置,其特征在于,具备:
可抽真空的处理容器;
为了支撑基板而设置在上述处理容器内的、权利要求1所记载的载 置台构造;
向上述处理容器内导入气体的气体导入部。
12.如权利要求11所记载的处理装置,其特征在于,还具有将等 离子体发生用的电磁波向上述处理容器内导入的电磁波导入部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





