[实用新型]光掩模清洗机的工艺处理舱有效
申请号: | 200820034064.3 | 申请日: | 2008-04-14 |
公开(公告)号: | CN201177730Y | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
发明(设计)人: | 徐飞;金海涛 | 申请(专利权)人: | 徐飞 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;B08B11/00;B08B3/04 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 | 代理人: | 贾海芬 |
地址: | 213022江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模 清洗 工艺 处理 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光掩模清洗机的工艺处理舱,属于光掩模清洗机技术领域。
背景技术
光掩模在清洗和甩干的过程中,为避免产生颗粒污染,通常是将光掩模放在一个相对封闭的工艺处理舱内。在处理过程中,光掩模处于旋转状态。为避免工艺处理舱外的尘埃颗粒对正在清洗及甩干的光掩模产生污染,通常在工艺处理舱上方安装有空气过滤器以过滤空气中的尘埃,过滤后的空气被送入工艺处理舱内,以维护工艺处理舱内的洁净氛围。现有工艺处理舱均为直桶形结构,一方面工艺处理舱内的体积较大,造成工艺处理舱内抽入的洁净空气流较为紊乱,使舱内的微粒会对光掩模造成交叉污染。另外,工艺处理舱采用直桶形的内壁,从光掩模上甩出的液滴会反溅回光掩模上造成二次污染,而影响光掩模的清洗效果。
发明内容
本实用新型的目的上提供一种能减少对光掩模交叉污染,提高光掩模清洗效率的工艺处理舱。
本实用新型为达到上述目的的技术方案是:一种光掩模清洗机的工艺处理舱,包括外罩、内套和顶盖,其特征在于:所述的外罩由从上到下依次密封连接的上罩、中罩和底罩构成,上罩具有圆锥形的罩壁,中罩的罩壁上设有一个抽气口,且中罩内具有一个倒锥形的挡流圈,挡流圈延伸并超过抽气口,具有排液口的底罩与内套的下部密封连接,顶盖密封安装在内套的上部。
本实用新型工艺处理舱的抽风口设在中罩的罩壁,因此能保证工艺处理舱底部的积液不会被抽到排风管中,加之中罩内设置一个倒锥形的挡流圈,一方面能减少工艺处理舱的有效体积,另一方面,在该挡流圈的作用下,使抽入工艺处理舱内的洁净空气能形成垂直向下的气流,以维护工艺处理舱内均匀垂直向下的空气流的气体氛围,避免了工艺处理舱内微粒交叉而污染芯片。本实用新型采用圆锥形的上罩,也使得从光掩模上甩出的液滴弹到工艺处理舱的下方,而非反溅回光掩模上造成二次污染,故能大幅度减少光掩模被二次污染几率,而提高光掩模清洗效率。本实用新型工艺处理舱的外罩采用上罩、中罩和底罩的组装式结构,不仅能减小了工艺处理舱的制造成本和加工难度,同时,组装式结构的外罩为工艺处理舱内的部件维修提供了方便。
附图说明
下面结合附图对本实用新型的实施例作进一步的详细描述。
图1是本实用新型的结构示意图。
其中:1-上罩,2-顶盖,21-第二流道,22-第一流道,3-底座,4-内套,5-中罩,51-挡流圈,52-抽气口,6-底罩,61-排液口。
具体实施方式
见图1所示,本实用新型光掩模清洗机的工艺处理舱,包括外罩、内套4和顶盖2,该外罩由从上到下依次密封连接的上罩1、中罩5和底罩6构成,该上罩1具有圆锥形的罩壁,使从光掩模上甩出的液滴弹到工艺处理舱的下方,该上罩1最好是中上部为圆锥形的罩壁,而中下部为直桶形的罩壁,该圆锥形的锥角控制在30°~60°之间。本实用新型中罩5的罩壁上设有一个抽气口52,中罩5内具有一个倒锥形的挡流圈51,该挡流圈51的罩壁与中罩5的罩壁之间的夹角A可控制在10°~30°之间,且挡流圈51延伸并超过抽气口52,通过该挡流圈51使抽入工艺处理舱内的空气流能形成垂直向下的气流,再通过抽气口52经出气管将工艺处理舱内空气抽出,有效避免工艺处理舱内微粒的交叉污染。见图1所示,本实用新型的底罩6具有排液口61,底罩6与内套4的一端密封连接,该内套4具有具有波纹状的可伸缩外壁,因此能保证工艺处理舱的密封性的同时,可实现光掩模上下运动的功能,顶盖2密封安装在内套4的上部,或如图1所示,顶盖2的下部还密封连接一个底座3,并与内套4的上部密封连接。
见图1所示,本实用新型的顶盖2具有贯穿顶盖2的安装孔以及设置在顶盖2内二个独立的第一流道22和第二流道21,该第一流道22由与顶盖2底面相通的进液流道、外环形道以及沿顶盖2径向分布并与顶盖2外周相通的八个以上的出液流道构成,而第二流道21也由与顶盖2底面相通的进液流道、内环形道以及沿顶盖2轴向并与顶盖2上端面相通的三个以上出液流道构成。当电机带动光掩模旋转时,安装在顶盖2顶面出液流道出口处的喷嘴对光掩模的背面进行冲清,而顶盖2径向外周的八个出液出流通口处的喷嘴则对工艺处理舱的内壁进行冲洗。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
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