[发明专利]一种制备过孔的方法有效
| 申请号： | 200810240081.7 | 申请日： | 2008-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752300A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制备 方法 | ||
1.一种制备过孔的方法，其特征在于，该方法包括：
步骤1、在绝缘衬底上涂敷光刻胶；
步骤2、光刻得到栅电极图形；
步骤3、电子束蒸发或者PECVD沉积金薄膜；
步骤4、用丙酮剥离不需要的金薄膜得到器件的栅电极图形；
步骤5、在栅电极上匀胶后再次光刻得到过孔图形；
步骤6、电子束蒸发过孔金属；
步骤7、剥离后再淀积栅介质材料；
步骤8、再次光刻得到栅介质上互连线的胶图形；
步骤9、电子束蒸发连线金属，剥离后实现栅介质上下导线的互连。
2.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤1中 所述绝缘衬底是有机塑料衬底，或是无机绝缘衬底。
3.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤1中 所述涂敷光刻胶是采用匀胶台旋涂并在85℃热板烘烤实现的。
4.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，所述栅电 极图形和过孔图形是通过光刻得到的。
5.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤6中 所述过孔金属是金属铝，过孔的高度为600nm。
6.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤7中 所述栅介质材料是采用电子束蒸发或者PECVD沉积得到的。
7.根据权利要求1所述的制备过孔的方法，其特征在于，步骤7中 所述栅介质材料的厚度为250nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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