[发明专利]电路布局方法及布局电路有效
| 申请号: | 200810211204.4 | 申请日: | 2008-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN101552269A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | 蔡同凯;林志青 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/118 |
| 代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 葛 强;张一军 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电路 布局 方法 | ||
技术领域
本发明是关于电路布局,尤其是关于电路布局方法及具有组合连结单元(combined tie cell)的布局电路。
背景技术
设计工程师(以下称“工程师”)在布局区域上设置并布线(route)标准单元之后,通常还会在布局区域上准备一些备用(spare)单元,用于在芯片开发(tap out)出来之后增加更多功能或改变设计电路。然而,这些备用单元最初并不连结到任何标准单元,因此应将其与高连结(tie-high)电路或低连结(tie-low)电路相连,以避免浮动(float)。
图1显示集成电路的布局区域100的一部分的示意图。布局区域100的这部分上没有特别显示出标准单元。备用单元A与高连结电路101相连,备用单元C与高连结电路103相连,以及备用单元B与低连结电路102相连。因此,提供给备用单元A及C的电压为高电压Vdd,而提供给备用单元B的电压为低电压Vss。此外,布局区域100的其余部分由标准填充单元(normal filler cell)填充。
某些情况下,利用工程变更命令(Engineering Change Order,ECO),在芯片开发出来之后,工程师通过用备用单元代替标准单元的其中一个,从而变更芯片的一些功能。图2显示在接收到工程变更命令之前,集成电路的布局区域200的一部分的示意图。标准单元D与E耦合于其它的标准单元(未显示于图中),其中标准单元D与E分别对应于备用单元D’与E’。备用单元D’与E’分别耦合于高连结电路D与低连结电路E,以避免浮动。此外,布局区域200的其余部分由标准填充单元(如电容单元)来填充。
芯片开发出来之后,工程师可能发现标准单元D与E的运作情况低于期望值,因此需要用备用单元D’与E’来代替标准单元D与E。图3显示在接收到工程变更命令之后,集成电路的布局区域200的一部分的示意图。现已成为标准 单元的备用单元D’与E’,引导为耦合于其它的标准单元(未显示于图3中),这些标准单元最初耦合于标准单元D与E。被代替的标准单元D与E(现已成为备用单元D与E)分别耦合于高连结电路D与低连结电路E,以避免浮动。然而,被代替的标准单元D与E可能与相应的连结电路距离较远,从而会造成布线拥塞(routing congestion)。
发明内容
本发明提供一种电路布局方法及具有组合连结单元(combined tie cell)的布局电路,以解决现有技术中布线拥塞(routing congestion)的技术问题。
依据本发明的实施例,提供一种电路布局方法,包含有:在布局区域上设置多个标准单元,并对上述标准单元进行布线(routing);在布局区域上增设备用(spare)单元,用于在增加或更改功能时代替上述标准单元其中之一;以及在布局区域上增设组合连结单元,用于连结(tying)提供至被代替的标准单元的电压,以及避免被代替的标准单元浮动,其中组合连结单元包含高连结电路与低连结电路。
依据本发明的另一实施例,提供一种布局电路,包含有:多个标准单元,设置于布局区域上;备用单元,设置于布局区域上,用于代替上述标准单元其中之一;以及组合连结单元,设置于布局区域上,用于连结提供至被代替的标准单元的电压,以及避免被代替的标准单元浮动,其中组合连结单元包含高连结电路与低连结电路,且高连结电路与低连结电路包含金属氧化物半导体晶体管。
本发明的电路布局方法及布局电路与现有技术相比较,其有益效果包括:通过在芯片的布局区域上增设组合连结单元,特别在与备用单元对应的标准单元周围设置至少一个组合连结单元,从而避免了布线拥塞。
附图说明
图1显示集成电路的一部分布局区域的示意图。
图2显示在接收到工程变更命令之前,集成电路的一部分布局区域的示意图。
图3显示在接收到工程变更命令之后,集成电路的一部分布局区域的示意图。
图4显示依据本发明实施例的集成电路的一部分布局区域的示意图。
图5显示本发明组合连结单元实施例的示意图。
图6显示本发明组合连结单元另一实施例的示意图。
图7显示依据本发明实施例的电路布局方法的流程图。
图8为本发明组合连结单元的高连结电路的示意图。
图9为本发明组合连结单元的低连结电路的示意图。
图10为本发明组合连结单元的电容电路的示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





