[发明专利]电路布局方法及布局电路有效

专利信息
申请号: 200810211204.4 申请日: 2008-09-17
公开(公告)号: CN101552269A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 蔡同凯;林志青 申请(专利权)人: 联发科技股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/118
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 代理人: 葛 强;张一军
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 电路 布局 方法
【权利要求书】:

1.一种电路布局方法,包含有:

在布局区域上设置多个标准单元,并对该多个标准单元进行布线;

在该布局区域上增设备用单元,该备用单元用于在增加或更改功能时代替该多个标准单元其中之一;以及

在该布局区域上增设组合连结单元,用于连结提供至该被代替的标准单元的电压,以及避免该被代替的标准单元浮动,其中该组合连结单元包含高连结电路与低连结电路。

2.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,更包括:提供位于该组合连结单元内的高连结电路,用于连结第一供应电压与该被代替的标准单元;以及提供位于该组合连结单元内的低连结电路,用于连结第二供应电压与该被代替的标准单元。

3.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,更包括:提供位于该组合连结单元内的高连结电路,用于连结第一供应电压与该被代替的标准单元;提供位于该组合连结单元内的低连结电路,用于连结第二供应电压与该被代替的标准单元;以及提供位于该组合连结单元内的电容电路,用于维持电压稳定性。

4.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,将该组合连结单元设置于靠近该被代替的标准单元的位置。

5.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,将该组合连结单元设置于靠近该备用单元的位置。

6.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,在增加或更改功能之前,提供至该备用单元的电压是通过该组合连结单元进行初始连结。

7.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,该备用单元为或门、与门、多路复用器、触发器或反向器,用于发出工程变更命令。

8.一种布局电路,包含有:

多个标准单元,设置于布局区域上;

备用单元,设置于该布局区域上,该备用单元用于代替该多个标准单元其中之一;以及

组合连结单元,设置于该布局区域上,用于连结提供至该被代替的标准单元的电压,以及避免该被代替的标准单元浮动,其中该组合连结单元包含高连结电路与低连结电路,且该高连结电路与该低连结电路包含金属氧化物半导体晶体管。

9.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该组合连结单元包含高连结电路,用于连结第一供应电压与该被代替的标准单元,以及低连结电路,用于连结第二供应电压与该被代替的标准单元。

10.如权利要求9所述的布局电路,其特征在于,其中:

该高连结电路包含:

第一P沟道金属氧化物半导体晶体管,包含栅极、耦合于该第一供应电压的源极以及用于提供第一连结电压的漏极;以及

第一N沟道金属氧化物半导体晶体管,包含漏极、栅极以及源极,其中该第一N沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极耦合于该第一P沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极,该第一N沟道金属氧化物半导体晶体管的源极耦合于该第二供应电压;以及

该低连结电路包含:

第二P沟道金属氧化物半导体晶体管,包含栅极、漏极与耦合于该第一供应电压的源极;以及

第二N沟道金属氧化物半导体晶体管,包含漏极,用于提供第二连结电压;栅极,耦合于该第二P沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第二P沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极;以及源极,耦合于该第二供应电压。

11.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该组合连结单元包含高连结电路,用于连结第一供应电压与该被代替的标准单元;低连结电路,用于连结第二供应电压与该被代替的标准单元;以及电容电路,用于维持电压稳定性。

12.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该组合连结单元设置于靠近该被代替的标准单元的位置。

13.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该组合连结单元设置于靠近该备用单元的位置。

14.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,在该备用单元代替该多个标准单元其中之一之前,提供至该备用单元的电压是通过该组合连结单元进行初始连结。

15.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该备用单元为或门、与门、多路复用器、触发器或反向器,用于发出工程变更命令。

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