[发明专利]电路布局方法及布局电路有效
| 申请号: | 200810211204.4 | 申请日: | 2008-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN101552269A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | 蔡同凯;林志青 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/118 |
| 代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 葛 强;张一军 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电路 布局 方法 | ||
1.一种电路布局方法,包含有:
在布局区域上设置多个标准单元,并对该多个标准单元进行布线;
在该布局区域上增设备用单元,该备用单元用于在增加或更改功能时代替该多个标准单元其中之一;以及
在该布局区域上增设组合连结单元,用于连结提供至该被代替的标准单元的电压,以及避免该被代替的标准单元浮动,其中该组合连结单元包含高连结电路与低连结电路。
2.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,更包括:提供位于该组合连结单元内的高连结电路,用于连结第一供应电压与该被代替的标准单元;以及提供位于该组合连结单元内的低连结电路,用于连结第二供应电压与该被代替的标准单元。
3.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,更包括:提供位于该组合连结单元内的高连结电路,用于连结第一供应电压与该被代替的标准单元;提供位于该组合连结单元内的低连结电路,用于连结第二供应电压与该被代替的标准单元;以及提供位于该组合连结单元内的电容电路,用于维持电压稳定性。
4.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,将该组合连结单元设置于靠近该被代替的标准单元的位置。
5.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,将该组合连结单元设置于靠近该备用单元的位置。
6.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,在增加或更改功能之前,提供至该备用单元的电压是通过该组合连结单元进行初始连结。
7.如权利要求1所述的电路布局方法,其特征在于,该备用单元为或门、与门、多路复用器、触发器或反向器,用于发出工程变更命令。
8.一种布局电路,包含有:
多个标准单元,设置于布局区域上;
备用单元,设置于该布局区域上,该备用单元用于代替该多个标准单元其中之一;以及
组合连结单元,设置于该布局区域上,用于连结提供至该被代替的标准单元的电压,以及避免该被代替的标准单元浮动,其中该组合连结单元包含高连结电路与低连结电路,且该高连结电路与该低连结电路包含金属氧化物半导体晶体管。
9.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该组合连结单元包含高连结电路,用于连结第一供应电压与该被代替的标准单元,以及低连结电路,用于连结第二供应电压与该被代替的标准单元。
10.如权利要求9所述的布局电路,其特征在于,其中:
该高连结电路包含:
第一P沟道金属氧化物半导体晶体管,包含栅极、耦合于该第一供应电压的源极以及用于提供第一连结电压的漏极;以及
第一N沟道金属氧化物半导体晶体管,包含漏极、栅极以及源极,其中该第一N沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极耦合于该第一P沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极,该第一N沟道金属氧化物半导体晶体管的源极耦合于该第二供应电压;以及
该低连结电路包含:
第二P沟道金属氧化物半导体晶体管,包含栅极、漏极与耦合于该第一供应电压的源极;以及
第二N沟道金属氧化物半导体晶体管,包含漏极,用于提供第二连结电压;栅极,耦合于该第二P沟道金属氧化物半导体晶体管的栅极与该第二P沟道金属氧化物半导体晶体管的漏极;以及源极,耦合于该第二供应电压。
11.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该组合连结单元包含高连结电路,用于连结第一供应电压与该被代替的标准单元;低连结电路,用于连结第二供应电压与该被代替的标准单元;以及电容电路,用于维持电压稳定性。
12.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该组合连结单元设置于靠近该被代替的标准单元的位置。
13.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该组合连结单元设置于靠近该备用单元的位置。
14.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,在该备用单元代替该多个标准单元其中之一之前,提供至该备用单元的电压是通过该组合连结单元进行初始连结。
15.如权利要求8所述的布局电路,其特征在于,该备用单元为或门、与门、多路复用器、触发器或反向器,用于发出工程变更命令。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





