[发明专利]连接孔的制造方法

权利要求书

1.一种连接孔的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，在所述半导体结构上依次具有刻蚀停止层和介质 层；

在所述介质层上形成光刻胶层，并图形化所述光刻胶层，形成连接 孔图案；

执行主刻蚀工艺，以图形化后的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述连接孔 图案底部部分厚度的介质层；

执行第一步过刻蚀工艺，以图形化后的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述 连接孔图案底部剩余的介质层，在所述介质层中形成底部露出所述刻蚀 停止层的开口；

执行第二步过刻蚀工艺，刻蚀所述开口的底部，去除所述开口底部 部分厚度的刻蚀停止层；

其中，所述第一步过刻蚀工艺和第二步过刻蚀工艺均为等离子体刻 蚀，且所述第一步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀停止层的刻蚀速 率选择比小于等于6，所述第二步过刻蚀工艺中刻蚀剂对介质层和刻蚀 停止层的刻蚀速率选择比大于6。

2.如权利要求1所述的连接孔的制造方法，其特征在于：所述第 一步过刻蚀工艺中，刻蚀速率选择比为4；第二步过刻蚀工艺中，刻蚀 速率选择比为8。

3.如权利要求1或2所述的连接孔的制造方法，其特征在于：所述 第一步过刻蚀工艺中刻蚀剂为含有碳氟化合物和O₂的组合气体。

4.如权利要求3所述的连接孔的制造方法，其特征在于：所述碳 氟化合物为C₄F₆、C₄F₈中的一种。

5.如权利要求3所述的连接孔的制造方法，其特征在于：所述碳 氟化合物为C₄F₈；其中，C₄F₈和O₂流量比为1至3∶2。

6.如权利要求1或2所述的连接孔的制造方法，其特征在于：第 一步过刻蚀工艺中的等离子体环境压力为10至100mTorr。

7.如权利要求1或2所述的连接孔的制造方法，其特征在于：所 述第二步过刻蚀工艺中刻蚀剂为含有碳氟化合物和惰性气体的组合气 体。

8.如权利要求7所述的连接孔的制造方法，其特征在于：所述碳 氟化合物包括C₄F₆或C₄F₈。

9.如权利要求1所述的连接孔的制造方法，其特征在于：

在所述介质层上形成光刻胶层之前，

先在所述介质层上形成抗反射层，并在主刻蚀之前，刻蚀去除所述 连接孔图案底部的抗反射层。

10.如权利要求9所述的连接孔的制造方法，其特征在于：刻蚀去 除抗反射层的工艺为等离子体刻蚀，该等离子体刻蚀分为两步进行，其 中，

第一步的刻蚀气体为CF₄、CHF₃、O₂和Ar；

第二步的刻蚀气体为CF₄、O₂和Ar。