[发明专利]肖特基二极管及制造方法、电阻转换存储器制造方法

权利要求书

1.一种制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于，其包括如下步骤：

C1、在基底上，制造出浅沟槽阵列，在浅沟槽中沉积第一类型导电材料，形成的第一类型导电材料线条作为字线；

C2、沉积重掺杂多晶硅，避免多晶硅与第一类型导电字线之间形成金属-半导体接触；

C3、沉积轻掺杂多晶硅，作为肖特基二极管的半导体层；

C4、退火处理；

C5、沉积与轻掺杂多晶硅形成金属-半导体接触的第二类型金属，第二类型金属层与轻掺杂多晶硅之间形成肖特基接触，此外，第二类型金属层还作为电阻转换存储器的电极；

C6、通过牺牲层材料的沉积和回刻工艺，在浅沟槽中的金属层上制造出侧墙；

C7、沉积电阻转换存储介质材料，沉积完毕后采用化学机械抛光工艺进行平坦化，仅保留侧墙内的存储材料；

C8、沉积第三类型电极材料，通过光刻工艺制造出位线，制造位线过程中的刻蚀深度直到第一类型导电材料的上方，将多晶硅、第二类型金属以及存储介质材料分隔成分立的单元，形成肖特基二极管单元和存储单元；

C9、通过绝缘介质材料的填充和平坦化工艺，最终得到基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列。

2.根据权利要求1所述的制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于：

所述方法中，采用多晶硅肖特基二极管作为电阻转换存储单元的选通器件。

3.根据权利要求1所述的制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于：

通过在浅沟槽中的金属层上制造侧墙，限制电阻转换存储材料与第二类型金属电极之间的接触面积。

4.根据权利要求1所述的制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于：

存储介质材料在电信号编程下，电阻转换存储器在高电阻、低电阻之间进行可逆转变。

5.根据权利要求1所述的制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于：

所述的电阻转换存储器为双级存储，或为多级存储。

6.根据权利要求1所述的制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于：

所述第二类型金属为金属单质，或为合金，或为金属硅化物。

7.根据权利要求1所述的制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于：

所述步骤C2和C3所制备的两层重掺杂和轻掺杂的多晶硅层由一层掺杂浓度连续变化的多晶硅层代替，在靠近第一类型导电字线的一端掺杂浓度较高，而在远离第一类型导电字线的一端掺杂浓度较低。

8.根据权利要求1或7所述的制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于：

所述方法中，制备多晶硅的方法为金属诱导法、或为气相沉积法、或为准分子激光脉冲法。

9.一种制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于，其包括如下步骤：

D1、在基底上制造出浅沟槽，在浅沟槽中沉积重掺杂多晶硅，采用低电阻率的多晶硅线作为字线；

D2、沉积轻掺杂多晶硅，作为肖特基二极管中的半导体层；

D3、退火处理步骤；

D4、沉积与轻掺杂多晶硅形成金属-半导体接触的第一类型金属，第一类型金属层与轻掺杂多晶硅之间形成肖特基接触，此外，第一类型金属还作为电阻转换存储单元的下电极；

D5、通过牺牲层材料的沉积和回刻工艺，在第一类型金属层上方制造出侧墙；

D6、沉积电阻转换存储介质材料，沉积后采用化学机械抛光工艺进行平坦化，仅保留侧墙内的存储材料；

D7、沉积第二类型金属材料，通过光刻工艺制造出位线，制造位线过程中的刻蚀深度直到低电阻率重掺杂多晶硅线的上方；

D8、通过绝缘介质材料的填充和平坦化工艺，得到多晶硅肖特基二极管选通的电阻转换存储器阵列。

10.根据权利要求9所述的制造基于多晶硅肖特基二极管的电阻转换存储器阵列的方法，其特征在于：

采用多晶硅肖特基二极管作为电阻转换存储单元的选通器件。