[发明专利]具有化学排序的磁性层的磁记录介质

权利要求书

1.一种薄膜结构，包括：

具有L1₀结构的磁性层；

邻接于该磁性层的籽晶层，该籽晶层具有L1₀结构和（001）取向，该籽晶 层为非磁性的并具有比该磁性层更低的熔化温度；和

下底层，其位置使得该籽晶层位于该下底层和磁性层之间，该下底层具有 （100）取向。

2.如权利要求1所述的结构，还包括保护润滑层，其位置使得该磁性层位 于该保护润滑层和该籽晶层之间。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该磁性层为FePt，FePd，CoPd 和CoPt中的一种。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该籽晶层为具有L1₀结构的AlTi， CuTi，MgIn，PtZn，CuAu和CdPd中的一种。

5.如权利要求1所述的结构，还包括第二籽晶层，其中该磁性层位于第一 所述籽晶层和该第二籽晶层之间。

6.如权利要求5所述的结构，还包括第二磁性层，其中该第二磁性层的位 置使得第二籽晶层位于第一所述磁性层和该第二磁性层之间。

7.如权利要求6所述的结构，还包括第三籽晶层，其位置使得该第二磁性 层位于该第二籽晶层和该第三籽晶层之间。

8.一种磁记录介质，包括：

衬底；

位于该衬底上的下底层，该下底层具有（100）取向；

位于该下底层上的籽晶层，该籽晶层具有L1₀结构；以及

具有L1₀结构并且邻接于该籽晶层的磁性层，

其中籽晶层为非磁性的并具有比磁性层更低的熔化温度。

9.如权利要求8所述的磁记录介质，其特征在于，该磁性层为FePt，FePd， CoPd和CoPt中的一种。

10.如权利要求8所述的磁记录介质，其特征在于，该籽晶层为AlTi，CuTi， MgIn，PtZn，CuAu和CdPd中的一种。

11.如权利要求8所述的磁记录介质，还包括第二籽晶层，其中该磁性层 位于第一所述籽晶层和该第二籽晶层之间。

12.如权利要求11所述的磁记录介质，还包括第二磁性层，其中该第二磁 性层的位置使得该第二籽晶层位于第一所述磁性层和该第二磁性层之间。

13.如权利要求12所述的磁记录介质，还包括第三籽晶层，其位置使得该 第二磁性层位于该第二籽晶层和该第三籽晶层之间。

14.一种制造薄膜结构的方法，包括：

提供具有L1₀结构的籽晶层；

在该籽晶层上提供具有L1₀结构的磁性层；以及

在具有（100）取向的下底层上外延生长该籽晶层，

其中籽晶层为非磁性的并具有比磁性层更低的熔化温度。

15.如权利要求14所述的方法，还包括提供邻接于第一所述磁性层的第二 籽晶层。

16.如权利要求15所述的方法，还包括提供邻接于该第二籽晶层的第二磁 性层。