[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在包括硅有源区和绝缘层的绝缘体上硅上形成栅极图案；

在所述栅极图案之间露出所述硅有源区；

通过移除在所述栅极图案之间露出的硅有源区使所述绝缘层露 出；

以倾斜离子注入法将杂质以离子注入方式注入到位于所述栅极 图案下方的所述硅有源区的下部以在下侧壁上形成局部掺杂区域，所 述局部掺杂区域的离子浓度比所述硅有源区的中央区域的离子浓度 高；

填充所述栅极图案之间的位于露出的所述绝缘层上方的间隙以 形成插塞；以及

将所述插塞扩散到所述硅有源区中以形成扩散插塞。

2.根据权利要求1所述的方法，移除露出的硅有源区的步骤包 括：

蚀刻所述硅有源区的一部分；

在所述栅极图案的侧壁和所述硅有源区的侧壁上形成间隔物； 以及

蚀刻在所述间隔物之间露出的硅有源区以露出所述绝缘层。

3.根据权利要求2所述的方法，形成所述间隔物的步骤包括：

在所述栅极图案和所述硅有源区上形成氧化物膜；以及

通过对所述氧化物膜进行毯式蚀刻来选择性地移除所述氧化物 膜的一部分，从而使所述氧化物膜留在所述栅极图案的侧壁和所述硅 有源区的侧壁上。

4.根据权利要求2所述的方法，包括：

蚀刻在所述间隔物之间露出的硅有源区以形成这样的硅有源 区：所述硅有源区的下部比上部宽，并且所述下部与所述上部的宽度 差值大于所述间隔物的厚度。

5.根据权利要求2所述的方法，还包括：

在包括所述栅极图案和所述绝缘层在内的所得结构上形成层间 绝缘膜；以及

用连接触点掩模蚀刻所述栅极图案之间的层间绝缘膜以露出所 述硅有源区。

6.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

蚀刻包括硅有源区和绝缘层的绝缘体上硅的一部分以形成沟 槽；

在所述沟槽的侧壁上形成保护膜；

通过蚀刻所述沟槽的下部来形成晶体管的浮体；

采用倾斜离子注入法将杂质以离子注入方式注入到所述浮体 中；

在所述晶体管之间形成连接插塞；以及

使所述连接插塞扩散到所述硅有源区中以在所述浮体之间形成 扩散插塞。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在所述绝缘体上硅上形成栅极图案。

8.根据权利要求7所述的方法，形成所述晶体管的浮体的步骤 包括：

蚀刻所述栅极图案之间的硅有源区；

在包括所述栅极图案和所述硅有源区在内的所得结构上形成保 护膜；

蚀刻所述保护膜，从而使所述保护膜留在所述栅极图案的侧壁 和所述硅有源区的侧壁上；以及

移除露出的硅有源区。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述保护膜包括氧化物膜。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述连接插塞包括导电材料。

11.一种半导体器件，包括：

位于栅极图案底部的浮体晶体管，所述浮体晶体管用作晶胞晶 体管并且包括浮体，所述浮体的下部比上部宽；

所述浮体之间的扩散插塞；

所述浮体晶体管之间的连接插塞；以及

位于所述扩散插塞的侧壁处的局部掺杂区域，所述局部掺杂区 域的离子浓度比所述浮体的中央区域的离子浓度高。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，

所述浮体位于绝缘体上硅晶片的硅有源区中，所述绝缘体上硅 晶片包括绝缘层和所述硅有源区。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，

所述浮体的两侧皆与导电材料接触。