[发明专利]沉积设备和沉积方法

权利要求书

1.沉积设备，其包含：

用于放置处理对象的第一电极；

用于和所述第一电极产生等离子体的第二电极，第二电极和第一 电极相对；和

热流控制传热部件，该热流控制传热部件安装在用于放置第一电 极的放置台和第一电极之间，或该热流控制传热部件是用于放置第一 电极的放置台的一部分，并且与处理对象的边界区域的至少一部分相 对，从而使得所述处理对象的中心区域和放置台之间的热阻不同于处 理对象的边界区域和放置台之间的热阻，以从所述处理对象导走热 量，其中在所述中心区域中有助于通过等离子体进行沉积的活性物质 的密度高，在所述边界区域中活性物质的密度低于中心区域，以产生 从处理对象的中心区域到边界区域的热流，从而形成从处理对象的中 心区域到处理对象的边界区域的温度梯度。

2.权利要求1的沉积设备，其中所述热流控制传热部件呈空心 环状。

3.权利要求1的沉积设备，其中所述热流控制传热部件包括钼。

4.权利要求1的沉积设备，其中所述热流控制传热部件包含：

由具有第一热导率的材料形成的第一区域；和

由具有第二热导率的材料形成的第二区域，第二热导率高于第一 热导率，

所述第一区域形成于热流控制传热部件的中心区域中，且

所述第二区域形成于热流控制传热部件的边界区域中。

5.权利要求4的沉积设备，其中所述热流控制传热部件呈盘状。

6.权利要求1的沉积设备，其进一步包含冷却系统，该冷却系 统用于通过与用于放置第一电极的放置台接近或邻接而冷却放置台。

7.权利要求6的沉积设备，其进一步包含用于将冷却系统传输 到放置台的底面/自放置台的底面传输出去的冷却系统传输机构，所 述放置台的底面和用于放置第一电极的放置台的顶面相对。

8.权利要求1的沉积设备，其中在所述处理对象上形成纳米晶 金刚石膜。

9.权利要求8的沉积设备，其中在所述纳米晶金刚石膜下形成 具有石墨烯片的碳纳米壁。

10.权利要求9的沉积设备，其中进一步形成由石墨形成的突起， 以在纳米晶金刚石膜上突起。

11.权利要求1的沉积设备，其进一步包含用于测量处理对象的 温度的温度测量部件。

12.通过在放置处理对象的第一电极和第二电极之间产生等离 子体来沉积膜的沉积方法，其包括：

在第一电极上放置处理对象；和

在第一电极和第二电极之间产生等离子体，形成从处理对象的中 心区域到处理对象的边界区域的温度梯度，以在处理对象的表面上沉 积膜，同时使用热流控制传热部件，通过使所述处理对象的中心区域 和放置台之间的热阻不同于边界区域和放置台之间的热阻，从中心区 域到边界区域产生热流，所述热流控制传热部件安装在用于放置第一 电极的放置台和第一电极之间，或所述热流控制传热部件是用于放置 第一电极的放置台的一部分，并且与处理对象的边界区域的至少一部 分相对，其中在所述边界区域中有助于膜沉积的活性物质的密度低于 中心区域。

13.权利要求12的沉积方法，其中所述热流控制传热部件呈空 心环状。

14.权利要求12的沉积方法，其中所述热流控制传热部件包含：

由具有第一热导率的材料形成的第一区域；和

由具有第二热导率的材料形成的第二区域，第二热导率高于第一 热导率，

所述第一区域形成于热流控制传热部件的中心区域中，且

所述第二区域形成于热流控制传热部件的边界区域中。

15.权利要求14的沉积方法，其中所述热流控制传热部件呈盘 状。