[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200810184311.2 | 申请日: | 2008-12-03 |
公开(公告)号: | CN101452925A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 征矢野伸;上柳胜道 | 申请(专利权)人: | 富士电机电子技术株式会社 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/488 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张 鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体器件。特别地,本发明涉及一种包括封装在树 脂外壳中的半导体元件的半导体器件。
背景技术
在诸如逆变装置、不间断电源、加工工具或工业机器人之类的装置中, 将包括安装于其中的功率半导体元件的半导体器件(通用模块)独立于该 装置主体使用。这样的半导体器件具有一种功率半导体元件被密封(封装) 于树脂外壳中的结构(例如参见专利文献1和2)。
接线端子(引线框)一般用于这样的半导体器件的内引线(参见专利 文献3)。
例如,图11是示出包括密封在树脂外壳中的功率半导体元件的半导体 器件的主要部分的示意图。图11示出通过使用接线端子内接线的半导体器 件的示例。
如图11所示,该半导体器件包括设置在树脂外壳400中的IGBT(绝 缘栅双极晶体管)元件100。这里提到的IGBT元件100是具有设置在其上 表面中的发射极电极和设置在其下表面中的集电极电极的垂直功率半导体 元件。IGBT元件100的发射极电极和布线衬底200通过接线端子600彼此 导电连接。IGBT元件100的集电极电极直接导电连接到布线衬底200。
发射极电极和布线衬底200一般通过焊接、超声焊接、激光焊接等经 接线端子600相互接合。
[专利文献1]JP-A-6-045518
[专利文献2]JP-A-2002-368192
[专利文献3]JP-A-2005-064441
然而在上述半导体器件中,存在的问题是不可能容易地改变接线端子 600的布局。
发明内容
考虑到这一点开发了本发明。本发明的目的是提供包括封装在树脂外 壳中的半导体元件及其中有可能容易地改变至少一接线端子的布局的半导 体器件。
为了解决上述问题,根据本发明一方面,提供一种半导体器件,包括: 固定支撑在树脂外壳中的多个外部连接端子;封装在该树脂外壳中的至少 一个半导体元件;以及设置有至少一个接线端子——该半导体元件通过它 电连接到外部连接端子——的至少一个端子块。
根据上述配置,有可能实现设置有封装在树脂外壳中的半导体元件以 及接线端子的布局可容易地改变的半导体器件。
附图说明
图1A和1B是根据本发明第一实施例的半导体器件的主要部分的示意 图;
图2是用于说明半导体器件的效果的半导体器件的主要部分的示意图 (部分1);
图3是用于说明半导体器件的效果的半导体器件的主要部分的示意图 (部分2);
图4是用于说明半导体器件的效果的半导体器件的主要部分的示意图 (部分3);
图5是用于说明半导体器件的效果的半导体器件的主要部分的示意图 (部分4);
图6是用于说明半导体器件的效果的半导体器件的主要部分的示意图 (部分5);
图7是用于说明半导体器件的效果的半导体器件的主要部分的示意图 (部分6);
图8是根据第一实施例的半导体器件的变体的主要部分的示意图;
图9A和9B是根据本发明第二实施例的半导体器件的主要部分的示意 图;
图10A和10B是根据本发明第三实施例的半导体器件的主要部分的示 意图;以及
图11是根据其中功率半导体元件密封在树脂外壳中的背景技术的半 导体器件的主要部分的示意图。
具体实施方式
下文将参考附图具体描述关于半导体器件的本发明各实施例。
<第一实施例>
图1A和1B是示出根据本发明第一实施例的半导体器件的主要部分的 示意图。图1A示出该半导体器件的俯视示意图。图1B示出该半导体器件 沿图1A的虚线X-X所取并从箭头方向观看的截面图。此外,图1A和1B 示出对应于逆变器电路一相的半导体模块的示例。
图1A和1B所示的半导体器件1具有作为衬底的毫米量级厚度的金属 基板。各个绝缘衬底20通过无引线锡银(锡—银)类焊料层(未示出)接 合和安装到金属基板10上。作为功率半导体元件的IGBT元件30a和30b 及FWD元件31a和31b分别安装在绝缘衬底20的上层上。半导体器件1 还具有封装有上述半导体元件的树脂外壳40等,以使半导体器件1可担当 所谓的通用IGBT模块(功率模块)。
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