[发明专利]等离子体蚀刻方法有效
| 申请号： | 200810180924.9 | 申请日： | 2004-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101447426A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 加藤和也;小野胜彦;水野秀树;小笠原正宏;北村彰规;小林典之;稻田靖;冈本晋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体蚀刻方法，其特征为，
使用形成有互相邻接的凹部间隔在200nm以下的图形的抗蚀剂掩 膜，并通过将包括含碳和氟的化合物形成的活性种生成用的气体，和 含有氩气和氙气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，以在形成于 所述抗蚀剂掩膜的凹部的内周面不产生弯曲的方式对层叠在衬底膜上 的含硅和氧的绝缘膜进行蚀刻，
其中，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率为0.1以上 0.25以下。
2.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征为，由含碳和 氟的化合物形成的活性种生成用的气体，为选自C4F8气体、C4F6气体 和C5F8气体中的气体。
3.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征为，所述处理 气体还包含氧气。
4.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征为，含有硅和 氧的绝缘膜为氢氧碳化硅膜(SiCOH膜)。
5.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征为，衬底膜为 选自碳化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜(SiON膜)和氧碳化硅膜(SiCO 膜)的膜。
6.如权利要求1所述的等离子体蚀刻方法，其特征为，所述活性 种生成用的气体为C4F8气体或CHF3气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810180924.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：充气轮胎
- 下一篇：图像显示装置及其驱动方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
