[发明专利]利用倒装芯片工艺的管芯与引线框的互连有效
| 申请号: | 200810176936.4 | 申请日: | 2008-08-12 |
| 公开(公告)号: | CN101572240A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
| 发明(设计)人: | M·艾斯拉米;A·C·特苏 | 申请(专利权)人: | 捷敏服务公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦 晨 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 利用 倒装 芯片 工艺 管芯 引线 互连 | ||
1.一种制造用于半导体器件的封装的方法,该方法包含以下步骤:
提供具有焊盘以及与该焊盘接触的焊球的管芯;
提供包含引线指状物的引线框,该引线指状物在预期与该焊球接触的该引 线指状物的部分的邻近处具有焊料排斥表面;以及
加热该焊球至回流温度以上,使得该焊球粘附到该引线指状物的该部分, 同时该焊料排斥表面限制该焊料回流以保持该焊球的垂直轮廓并保证该引线指 状物与该管芯之间的最小间距。
2.权利要求1的方法,进一步包括通过氧化该引线框形成该焊料排斥表面 的步骤。
3.权利要求2的方法,其中该氧化步骤包括有意地形成棕色氧化物。
4.权利要求3的方法,其中该引线指状物的该部分包含裸露铜、镀的金属 或镀的金属叠层。
5.权利要求2的方法,其中该氧化步骤包括容许形成自然氧化物。
6.权利要求5的方法,其中该引线指状物的该部分包含镀的金属或镀的金 属叠层。
7.权利要求6的方法,其中该镀的金属或镀的金属叠层包含Ag、Ni-Au 金属叠层或Ni-Pd-Au金属叠层。
8.权利要求2的方法,进一步包括以下步骤:
在氧化该引线框之前在该引线指状物的该部分上图形化掩膜;以及
移除该掩膜。
9.权利要求1的方法,进一步包括以下步骤:通过将带放置在该引线指状 物上来形成该焊料排斥表面。
10.权利要求9的方法,其中该带由Kapton构成。
11.权利要求9的方法,其中在封装工艺前用该带固定多个引线指状物。
12.权利要求9的方法,其中该带的厚度以该引线指状物和该管芯之间的 该最小间距保持该引线指状物。
13.权利要求1的方法,其中向该管芯提供该焊球,该焊球通过钝化层中 的开口以及用来限制该管芯的表面上的焊料流动的无电镀镍浸金层而与该焊盘 接触。
14.权利要求1的方法,其中向该管芯提供该焊球,该焊球通过用来限制 该管芯的表面上的焊料流动的溅射的可润湿层而与该焊盘接触。
15.一种半导体器件封装,包括:
具有焊盘的管芯;
与该焊盘接触的焊球;
封装该管芯和该焊球的塑料封装体;以及
包括伸出该塑料封装体外的引线指状物的引线框,该引线指状物的部分与 该焊球接触,并且与该部分邻近的区域包含焊料排斥表面。
16.权利要求15的半导体器件封装,其中该引线框包含金属,并且该焊料 排斥表面包含氧化物。
17.权利要求15的半导体器件封装,其中该引线框包括粘附带。
18.一种制造用于半导体器件的封装的方法,该方法包括以下步骤:
提供具有焊盘和与该焊盘接触的焊料接触体的管芯,该焊料接触体包括,
与该焊盘接触的第一元件,该第一元件具有第一回流温度,以及
具有低于该第一回流温度的第二回流温度的第二元件;
提供包括引线指状物的引线框;以及
加热该焊料接触体至该第二回流温度以上并低于该第一回流温度,使得该 第一元件保证该引线指状物与该管芯之间的最小间距,并且该第二元件保征该 焊料接触体与该引线指状物之间的粘附。
19.权利要求18的方法,进一步包括以下步骤:在该引线指状物的与该焊 料接触体的该第二元件接触的部分的邻近处提供焊料排斥表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





