[发明专利]清洗基板的设备和方法无效
申请号: | 200810176552.2 | 申请日: | 2008-11-19 |
公开(公告)号: | CN101577214A | 公开(公告)日: | 2009-11-11 |
发明(设计)人: | 赵重根;李世原;郑载正 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/268;B08B7/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 申 健 |
地址: | 韩国忠清南道天*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 设备 方法 | ||
相关申请的交叉参考
根据35U.S.C$119,此美国非临时申请要求享有2008年5月6日提出的韩国专利申请2008-0041876的优先权,在此并入韩国专利申请的全部内容作为参考。
技术领域
本发明所描述的涉及一种半导体制造仪器,尤其涉及一种用激光冲击波清洗基板的设备和方法。
背景技术
通常,半导体基板通过薄膜沉积过程、蚀刻过程和清洗过程制造。特别地,清洗过程移除在半导体基板制造过程中产生的残留物质或微粒。
所述清洗过程可以分为湿清洗和干清洗。湿清洗利用化学试剂清洗基板。在湿清洗中使用的大量化学试剂引起了环境污染。另外,湿清洗具有作业速度低和设备体积大的局限。
同时,干清洗用等离子或激光清洗基板而不损坏基板。利用等离子的干清洗是通过使得自由基(radical)与基板表面的污染物相作用而清洗基板。利用激光的干清洗通过利用激光冲击波除去基板表面的外来物质而不损坏基板。
更详细的,利用激光的干清洗聚焦激光束以在基板上面产生冲击波,并且外来物质被冲击波移除。然而,当产生冲击波的时候,气化物质(plumes)或残留光束也随着冲击波一起产生。气化物质或者残留光束造成了对基板的损害。
为了避免上述限制,将防护罩部署在基板上面以防止气化物质或残留光束入射到基板上。然而,在清洗基板时,仅是基板随着激光的焦点旋转而防护罩是固定的,因此,这样气化物质和残留光束不断的入射到防护罩上的特定部分。这就导致了防护罩的损坏并且防护罩的碎片落到基板上而污染基板。
发明内容
本发明提供了一种基板清洗设备,该基板清洗设备能够防止基板清洗过程中的基板再污染。
本发明还提供了一种利用基板清洗设备的基板清洗方法。
本发明的实施例提供的基板清洗设备,包括支撑板,光束发生器,透镜和防护单元。
所述支撑板支撑基板并且能够旋转。所述光束发生器发射光,该光用于生成清洗基板用的冲击波。所述透镜将从光束发生器发射的光聚焦到基板上面。所述防护单元在透镜的焦点和基板之间保护基板。所述防护单元邻近焦点的一部分被切换。
在一些实施例中,所述防护单元可以包括防护罩和移动单元。所述防护罩可以相对地部署在基板上面,并且当从顶面观察时,覆盖了基板的一部分。所述移动单元可以与防护罩啮合并且移动该防护罩。
在本发明的其他实施例中,基板清洗设备包括支撑单元和清洗单元。
所述支撑单元支撑基板。所述清洗单元产生用于清洗基板的冲击波并将所述冲击波集中到基板。这样,所述清洗单元可以包括冲击波发生器和防护罩。所述冲击波发生器利用激光束在基板上面产生冲击波。所述防护罩在激光束集中的焦点和基板之间面向基板。
在本发明的其他实施例中,基板清洗方法包括:在支撑板上部署基板;在基板上面部署防护罩;在邻近所述防护罩的点上聚焦光来在基板上面产生冲击波;利用所述冲击波清洗基板,同时切换防护罩临近光聚焦的聚焦点的部分。
附图说明
在此包括相关附图用以提供对本发明的进一步理解,并且所述附图结合到本发明中,组成本说明书的一部分。所述附图显示了本发明示范性的实施例,并且结合说明书,用来解释本发明的原理。在这些图中:
图1是依照本发明实施例的基板清洗设备的示意图;
图2是图1中所描述的防护部件的顶部平面视图;
图3是显示图1的基板清洗设备清洗基板的过程的示意图;
图4和图5是显示切换图3中所述防护罩的防护位置的过程的顶部平面视图;
图6依照本发明另一实施例的基板清洗设备的示意图;
图7是图6中所描述的防护单元的顶部平面视图;
图8是显示图6的基板清洗设备清洗基板的过程的示意图;以及
图9是图8中所描述的防护单元的顶部平面视图。
优选实施例的详细描述
本发明的优选实施例将在下面参照相应附图进行更详细地描述。
图1是依照本发明实施例的基板清洗设备的示意图,图2是图1中所描述的防护部件的顶部平面视图。
参照图1,依照本发明实施例的基板清洗设备301包括用于支撑基板的支撑单元100和利用冲击波清洗基板的清洗单元201。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造