[发明专利]横向电场型有源矩阵寻址液晶显示装置

权利要求书

1.一种横向电场型有源矩阵寻址液晶显示装置，包括：

第一基板，包括：栅极总线；与栅极总线平行的公共总线；和与栅极 总线和公共总线交叉的漏极总线；

第二基板，其保持以预定间隙与第一基板相对；

在第一基板和第二基板之间设置的液晶层；

像素区域，其由栅极总线和漏极总线限定以布置在矩阵阵列中；和

每个像素区域包括：开关元件；电连接到开关元件的像素电极；和电 连接公共总线的对应的一个的公共电极；

其中：在每个像素区域中，至少一个遮光电极形成为沿漏极总线延伸， 所述漏极总线限定在该漏极总线附近的像素电极；

所述至少一个遮光电极以不与在其附近的任何其它电极和任何总线 电连接的形式被电隔离，并以这样的方式与对应于像素区域的像素电极的 至少一部分重叠，所述方式使得绝缘膜介于至少一个遮光电极和所述至少 一部分之间，其中：所述至少一部分沿漏极总线在其附近延伸；和

限制在液晶层中的液晶分子在与第一基板近似平行的平面中旋转，从 而显示图像。

2.根据权利要求1所述的设备，其中：所述至少一个遮光电极以 这样的方式被设置在与漏极总线的层不同的层上，所述方式使得绝缘膜介 于它们之间。

3.根据权利要求1所述的设备，其中：对应于像素区域的像素电 极的所述至少一部分是梳齿形；和

所述至少一个遮光电极是带状，以沿漏极总线延伸。

4.根据权利要求1所述的设备，其中：对应于像素区域的像素电 极包括沿漏极总线延伸的梳齿形部分；

位于外部位置的像素电极的梳齿形部分的两个用作沿两个漏极总线 延伸的像素电极的所述至少一部分，所述两个漏极总线限定在该漏极总线 附近的像素电极；和

两个遮光电极为带形以分别沿限定像素电极的两条漏极总线延伸。

5.根据权利要求1所述的设备，其中：所述漏极总线弯曲以根据 各像素区域具有近似V形状；和

所述像素电极和公共电极弯曲以具有对应于漏极总线的近似V形 状。

6.根据权利要求1所述的设备，其中：所述像素电极以这样的方 式被设置在与漏极总线的层不同的层上，所述方式使得绝缘膜介于它们之 间。

7.根据权利要求1所述的设备，其中：公共电极被设置在与像素 电极同一层上。

8.根据权利要求1所述的设备，其中：所述像素电极和/或公共电 极由一种或多种透明导电材料制成。

9.一种横向电场型有源矩阵寻址液晶显示装置，包括：

第一基板，包括：栅极总线；与栅极总线平行的公共总线；和与栅极 总线和公共总线交叉的漏极总线；

第二基板，其保持以预定间隙与第一基板相对；

在第一基板和第二基板之间设置的液晶层；

像素区域，其由栅极总线和漏极总线限定以布置在矩阵阵列中；和

每个像素区域包括：开关元件；电连接到开关元件的像素电极；和电 连接公共总线的对应的一个的公共电极；

其中：在每个像素区域中，至少一个遮光电极形成为沿所述漏极总线 延伸，所述漏极总线限定在该漏极总线附近的像素电极；

所述至少一个遮光电极以这样的方式与对应于像素区域的像素电极 的至少一部分重叠，所述方式使得绝缘膜介于至少一个遮光电极和所述至 少一部分之间，其中：所述至少一部分沿漏极总线在其附近延伸；

在所述像素区域的某一位置处，所述至少一个遮光电极被电连接到对 应所述像素区域的像素电极；和

限制在液晶层中的液晶分子在与第一基板近似平行的平面中旋转，从 而显示图像。

10.根据权利要求9所述的设备，其中：所述至少一个遮光电极以 这样的方式被设置在与漏极总线的层不同的层上，所述方式使得绝缘膜介 于它们之间。