[发明专利]单一型基体处理装置及其清洁方法

说明书

相关申请的交叉引用 

根据35U.S.C.§119，本美国非临时专利申请要求2007年8月29日提交的、韩国专利申请号为10-2007-0086907的优先权，此专利的全部内容以引用的方式并入本文中。 

技术领域

本发明涉及一种基体处理装置及其方法，尤其涉及一种用于清洁基体的单一型基体处理装置及其清洁方法。 

背景技术

随着半导体设备的密度、集成度越来越高，性能越来越强，电路图形的细微化得到了快速提高。因此，颗粒物，有机污染物和金属杂质等污染物对设备性能和产品产量具有更多影响。所以，在半导体制造过程中，消除附着在基体表面上的各种污染物的清洁过程是一个重要环节。在各个单元处理的前后都要清洁基体。 

一般半导体制造过程中使用的清洁方法大体上分成干清洁方法和湿清洁方法。湿清洁方法分成槽型方法(bath type)和旋转式(spin type)方法。在槽型方法中，将基体浸泡到一种化学溶液中，用化学溶液除去污染物。在旋转式方法中，将化学溶液添加到安装在旋转卡盘上的基体上，从而除去污染物。 

此外，基体固定在可以处理单一基体的卡盘构件上。通过喷嘴将化学溶液或去离子水喷洒到旋转基体上，通过离心力将化学溶液或去离子水喷洒到基体的整个表面上，从而清洁基体。随后用烘干气体烘干基体。 

发明内容

本发明提供一种单一型基体处理装置及其清洁方法，该装置能够除去用于支撑基体的基体支撑构件上的污染物。 

本发明还提供一种单一型基体处理装置及其清洁方法，该装置能够将基体支撑构件的热变形最小化。

本发明的实施例提供的单一型基体处理装置包含一种支撑基体的基体支撑构件，以及清洁溶液供应单元，该清洁溶液供应单元将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上，从而除去残留在基体支撑构件上的污染物；其中，所述清洁溶液供应单元设置于与化学溶液供应单元、冲洗溶液供应单元和烘干气体供应单元互不干扰的多个位置中的一个位置上。 

在一些实施例中，清洁溶液供应单元放置在基体支撑构件上的喷嘴体中，并且包含一个喷嘴，该喷嘴的一端插入到形成在喷嘴体内部的清洁溶液供应线中，并将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上。在本发明的另一些实施例中，该单一型基体处理装置可以进一步包含用于旋转基体支撑构件的驱动器。 

在本发明的另一些实施例中，单一型基体处理装置包含用于支撑基体的可旋转基体支撑构件，基体在基体支撑构件之上，与该基体支撑构件之间有一定距离；将化学溶液喷洒到基体底部表面的化学溶液供应单元；以及清洁溶液供应单元，该清洁溶液供应单元将清洁溶液/喷洒到基体支撑构件，从而在使用化学溶液的基体处理过程之后，除去残留在基体支撑构件上的化学溶液，其中，所述清洁溶液供应单元设置于与化学溶液供应单元、冲洗溶液供应单元和烘干气体供应单元互不干扰的多个位置中的一个位置上。 

在一些实施例中，化学溶液供应单元和清洁溶液供应单元放置在位于基体支撑构件上的喷嘴体中。在另一些实施例中，清洁溶液供应单元包含一个喷嘴，该喷嘴的一端插入至形成在喷嘴体内部的清洁溶液供应线上，并将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上。在另一些实施例中，喷嘴与基体支撑构件的顶部表面垂直，并在喷嘴中形成第一和第二通道，第一通道沿着喷嘴的纵向设置，第二通道与第一通道相通，并平行于基体支撑构件的顶部表面。在另一些实施例中，喷嘴与基体支撑构件的顶部表面垂直，并在喷嘴中形成第一和第二通道，第一通道沿着喷嘴的纵向设置，第二通道与第一通道相通，并向下倾斜到基体支撑构件的顶部表面。在另一些实施例中，清洁溶液供应单元具有第一和第二通道，该第一和第二通道形成于喷嘴体中，第一通道垂直于基体支撑构件的顶部表面，第二通道与第一通道相通，并平行于基体支撑构件的顶部表面。 

在另一些实施例中，清洁溶液供应单元具有第一和第二通道，该第一和第二通道形成于喷嘴体中，第一通道垂直于基体支撑构件的顶部表面，第二通道与第一通道相通，并向下倾斜到基体支撑构件的顶部表面。 

在另一些实施例中，第二通道的一端处具有孔形的化学溶液出口。在另一些实施例中，第二通道的一端处具有缝隙形的化学溶液出口。在另一些实施例中，单一型基体处理装置进一步包含一种用于为化学溶液供应单元提供化学溶液的化学溶液供应线；以及放置在化学溶液供应线中的，在处理温度下将由化学溶液处理单元供应的化学溶液进行加热的加热器。在另一些实施例中，清洁溶液包含室温去离子水。