[发明专利]单一型基体处理装置及其清洁方法

权利要求书

1.一种单一型基体处理装置，包含：

基体支撑构件，用于支撑基体；和

清洁溶液供应单元，用于将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上，从而除去残留在基体支撑构件上的污染物；

其中，所述清洁溶液供应单元设置于与化学溶液供应单元、冲洗溶液供应单元和烘干气体供应单元互不干扰的多个位置中的一个位置上。

2.如权利要求1所述的单一型基体处理装置，其中，清洁溶液供应单元放置在基体支撑构件上的喷嘴体中，并且包含一个喷嘴，该喷嘴的一端插入至形成在喷嘴体内部的清洁溶液供应线中，并将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上。

3.如权利要求2所述的单一型基体处理装置，进一步包含用于旋转基体支撑构件的驱动器。

4.一种单一型基体处理装置，包含：

可旋转基体支撑构件，用于支撑基体，该基体在该基体支撑构件之上，与基体支撑构件之间有一定距离；

化学溶液供应单元，用于将化学溶液喷洒到基体底部表面；以及

清洁溶液供应单元，用于将清洁溶液喷洒到基体支撑构件，从而在使用化学溶液的基体处理过程之后，除去残留在基体支撑构件上的化学溶液；

其中，所述清洁溶液供应单元设置于与化学溶液供应单元、冲洗溶液供应单元和烘干气体供应单元互不干扰的多个位置中的一个位置上。

5.如权利要求4所述的单一型基体处理装置，其中，化学溶液供应单元和清洁溶液供应单元放置在位于基体支撑构件上的喷嘴体中。

6.如权利要求5所述的单一型基体处理装置，其中，

清洁溶液供应单元包含一个喷嘴，该喷嘴的一端插入至形成在喷嘴体内部的清洁溶液供应线中，并将清洁溶液喷洒到基体支撑构件上。

7.如权利要求6所述的单一型基体处理装置，其中，喷嘴与基体支撑构件的顶部表面垂直，并在喷嘴中形成第一和第二通道；第一通道沿着喷嘴的纵向设置，第二通道与第一通道相通，并平行于基体支撑构件的顶部表面。

8.如权利要求6所述的单一型基体处理装置，其中，喷嘴与基体支撑构件的顶部表面垂直，并在喷嘴中形成第一和第二通道；第一通道沿着喷嘴的纵向设置，第二通道与第一通道相通，并向下倾斜到基体支撑构件的顶部表面。

9.如权利要求5所述的单一型基体处理装置，其中，清洁溶液供应单元具有第一和第二通道，该第一和第二通道形成于喷嘴体中；第一通道垂直于基体支撑构件的顶部表面，第二通道与第一通道相通，并平行于基体支撑构件的顶部表面。

10.如权利要求5所述的单一型基体处理装置，其中，清洁溶液供应单元具有第一和第二通道，该第一和第二通道形成于喷嘴体中；第一通道垂直于基体支撑构件的顶部表面，第二通道与第一通道相通，并向下倾斜到基体支撑构件的顶部表面。

11.如权利要求7所述的单一型基体处理装置，其中，第二通道的一端处具有孔形的化学溶液出口。

12.如权利要求7所述的单一型基体处理装置，其中，第二通道的一端处具有缝隙形的化学溶液出口。

13.如权利要求4所述的单一型基体处理装置，进一步包含：

化学溶液供应线，用于为化学溶液供应单元提供化学溶液；以及

放置在化学溶液供应线中的，在处理温度下将由化学溶液处理单元供应的化学溶液进行加热的加热器。

14.如权利要求13所述的单一型基体处理装置，其中，清洁溶液包含室温去离子水。

15.一种基体处理装置的清洁方法，该清洁方法包含：

将化学溶液喷洒到支撑在基体支撑构件上，并与该基体支撑构件具有一定距离的基体底部表面上，从而处理基体；

将清洁溶液喷洒到基体支撑构件的顶部表面上，从而除去残留在基体支撑构件上的化学溶液；

其中，将喷洒所述清洁溶液的清洁溶液供应单元设置于与化学溶液供应单元、冲洗溶液供应单元和烘干气体供应单元互不干扰的多个位置中的一个位置上。

16.如权利要求15所述的基体处理装置的清洁方法，其中，基体支撑构件是可旋转的。

17.如权利要求15所述的基体处理装置的清洁方法，其中，化学溶液的温度相对较高于清洁溶液的温度。