[发明专利]Ag基合金溅射靶及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及含有Ta及Cu的Ag基合金溅射靶及其制造方法，尤其是涉及用于光信息记录介质用Ag基合金反射膜的形成的Ag基合金溅射靶。

背景技术

由Ag(银)合金构成的薄膜(Ag基合金薄膜)具有高反射率和低电阻率、高热传导率的特性，因此被广泛地应用于例如：光信息记录介质(光盘)的反射膜、半透过反射膜、热扩散膜；平板显示的反射膜、反射电极膜、配线膜；热线反射/遮断窗玻璃等Low-E(低放射率)膜；电磁波屏蔽的遮蔽膜；汽车前灯或照明器具的反射膜；光学零件和发光二极管的反射膜和反射电极膜等。尤其是，Ag基合金薄膜相对于蓝光光盘应用的青紫色激光也具有充分高的反射率，还具有一次写入型光盘/可擦写型光盘需要的高的热传导率，因此也可以合适地应用于这些用途。

上述Ag基合金薄膜优选通过对由Ag基合金构成的溅射靶(Ag基合金溅射靶)进行溅射的溅射法而形成。所谓的溅射法，是在抽真空后导入了Ar的溅射室内，在基板和溅射靶(以后，有时称为靶)之间形成等离子放电，通过该等离子放电使离子化的Ar与靶产生冲撞，赶出该靶的原子，使其在基板上堆积而制作薄膜的方法。用溅射法形成的薄膜与用离子镀膜法或真空蒸镀法、电子射线蒸镀法形成的薄膜相比，在膜面方向的成分或膜厚等的均匀性优异。另外，溅射法和真空蒸镀法不同，具有能够形成和靶材料相同组成的薄膜的优点。

为形成这种高品质的薄膜，对溅射靶而言，要求其在溅射面方向(溅射面内)，构成靶的元素没有偏差或偏析，均匀分布。使用靶构成元素在靶面内偏差地分散的靶而得到的薄膜，膜面方向(膜面内)的成分和膜厚等偏差性增大，因此导致反射率等特性的偏差，作为反射膜的性能显著降低。

但是，Ag基合金溅射靶(Ag基合金靶)通常利用溶解·铸造法制造(例如，专利文献1～专利文献11)。另一方面，在含有Ta等高熔点金属的靶中，不用溶解·铸造法，而推荐将金属粉末混合、进行热等静压压制(Hot isostatic Pressing、有时省略记载为HIP)的粉末烧结法。虽然不是关于Ag基合金靶，但是，例如，在专利文献12中记载有在用于半导体LSI的制造的由Ta或Ru等高融点金属材料构成的溅射靶的制造中最适合用粉末烧结法。另外，在专利文献13中记载有通过粉末烧结法制造用于磁记录介质的CoTa类靶的方法。

专利文献1：特许第3365762号公报

专利文献2：特开2000-239835号公报

专利文献3：特开2002-129314号公报

专利文献4：特开2004-2929号公报

专利文献5：特开2004-43868号公报

专利文献6：特开2004-84065号公报

专利文献7：特开2004-126497号公报

专利文献8：特开2004-339585号公报

专利文献9：特开2005-36291号公报

专利文献10：特开2005-314717号公报

专利文献11：特开2005-330549号公报

专利文献12：特开2001-20065号公报

专利文献13：特开2000-207725号公报

发明内容

本发明的目的是提供一种能够稳定地形成膜面方向(膜面内)的成分等均匀性优异的薄膜的Ag-Ta-Cu合金溅射靶及该溅射靶的制造方法。

能够解决上述课题的本发明的Ag基合金溅射靶，由含有0.6～10.5原子％的Ta、2～13原子％的Cu的Ag基合金构成，对所述溅射靶的溅射面进行图像分析时，

(1)对Ta而言，相对于Ta粒子的整个面积，当量圆直径为10μm以上50μm以下的Ta粒子的合计面积以面积率计为60％以上，且，Ta粒子的平均重心间距离为10μm以上50μm以下；

(2)对Cu而言，相对于Cu粒子的全面积，当量圆直径当量圆直径为10μm以上50μm以下的Cu粒子的合计面积以面积率计为70％以上，且，Cu粒子的平均重心间距离为60μm以上120μm以下。

在优选的实施方式中，上述的Ag基合金溅射靶用于光信息记录介质用反射膜的形成。

另外，能够解决上述问题的上述Ag基合金溅射靶的制造方法，包括：准备混合粉末的工序，将含有体积50％的粒径为10μm以上50μm以下的Ag粉末、体积50％的粒径为10μm以上50μm以下的Ta粉末、及体积50％的粒径为10μm以上50μm以下的Cu粉末的原料混合30～90分钟；将所述混合粉末在500～600℃的温度下进行1～3小时的热等静压压制的工序。