[发明专利]非易失性闪速存储单元、阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种在第一导电类型的单晶的衬底中的非易失性存储单元，具有第 二导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、以及在所述衬底中所 述第一区域和所述第二区域之间的沟道区；与所述沟道区的第一部分绝缘 且相间隔的选择栅；与所述沟道区的第二部分绝缘且相间隔的浮栅，所述 浮栅具有最接近于所述选择栅的第一末端，以及最远离于所述选择栅的第 二末端；与所述衬底绝缘且相隔离的擦除栅，其最接近于所述浮栅的第二 末端；在所述浮栅的第二末端处的尖端和所述擦除栅之间的隧穿势垒，在 擦除操作期间发生穿过该擦除栅的隧穿；与所述浮栅、所述选择栅以及所 述擦除栅绝缘且相间隔的控制栅，其被布置于所述浮栅之上，并在所述擦 除栅和所述选择栅之间，其中所做的改进包括：

所述擦除栅具有两个电连接的部分：横向邻近且绝缘于所述浮栅的第 二末端的第一部分，以及覆在所述浮栅上方并与之相绝缘且邻近所述控制 栅的第二部分；

其中所述擦除栅的第二部分与所述浮栅间隔有第一距离并且屏蔽所 述隧穿势垒不受所述控制栅的影响，所述第一距离是在与从第一区域指向 第二区域的方向相垂直的方向上测量的；

其中所述擦除栅的第二部分具有最接近于所述控制栅的末端，并且所 述擦除栅的第一部分具有最接近于所述浮栅的末端；

其中所述擦除栅的第二部分以第二距离叠加所述浮栅上方，所述第二 距离是在与第一距离的方向相垂直的方向上，从最接近于所述控制栅的所 述擦除栅的第二部分的末端到最接近于所述浮栅的所述擦除栅的第一部 分的末端进行测量的；以及

其中所述第二距离与第一距离的比值在1.0和2.5之间。

2.权利要求1的存储单元，其中所述擦除栅的两个部分是整体形成 的。

3.权利要求1的存储单元，其中所述擦除栅的两个部分是电连接在一 起的两个分开的部分。

4.权利要求2的存储单元，其中所述浮栅具有尖角，所述角位于所述 浮栅的第二末端，并最接近于所述擦除栅的第一部分。

5.权利要求4的存储单元，其中所述角能够在擦除操作期间促进电子 从所述浮栅流向所述擦除栅。

6.权利要求2的存储单元，其中所述浮栅绝缘并相间隔于所述第二区 域的一部分，并且所述擦除栅与所述第二区域绝缘并留有间隔。

7.权利要求6的存储单元，其中所述沟道区的第一部分紧接所述第一 区域，所述沟道区的第一部分的上方是与其绝缘且相间隔的选择栅。

8.权利要求2的存储单元，其中所述选择栅和所述浮栅的第一末端被 复合绝缘材料所分开。

9.权利要求8的存储单元，其中所述复合绝缘材料为二氧化硅和氮化 硅。

10.权利要求2的存储单元，其中所述选择栅与所述浮栅的第一末端 被均质绝缘材料所分开。

11.权利要求10的存储单元，其中所述均质绝缘材料为二氧化硅。