[发明专利]表面发光半导体激光元件

权利要求书

1.一种制造表面发光半导体激光元件的方法，包括步骤：

在衬底上顺序地层叠包括半导体多层的下反射体、下覆盖层、有源层、 上覆盖层、具有至少高Al含量层的包括半导体多层的上反射体，和接触层， 其中在所述上反射体中，所述高Al含量层布置得最靠近所述有源层，

蚀刻所述接触层、所述下覆盖层、所述上反射体、所述有源层、所述 上覆盖层、和所述下反射体以形成台面柱，

在形成台面柱的步骤之后，在蒸汽下氧化台面柱的具有高Al含量的层 以保留具有高Al含量的层的中心区作为第一电流注入区，该第一电流注入 区包括未氧化的高Al含量的层，

围绕电流注入区形成包括氧化的铝层的电流限制区，

在所述台面柱的接触层上和所述台面柱的侧面形成绝缘膜，

在所述接触层上的所述绝缘膜上形成开口以暴露所述接触层，

在接触层上形成比所述绝缘膜的开口小的开口以暴露所述上反射体，

在所述上反射体和接触层上形成构成电极的金属膜，和

在所述金属膜上形成比所述接触膜上的开口小的开口以暴露所述上反 射体。

2.根据权利要求1的制造表面发光半导体激光元件的方法，其中在上 反射层上形成接触层的步骤中，形成多个接触层，以使得每一层的杂质浓 度从上层至下层台阶式的或逐渐的降低，其中在接触层上形成比绝缘膜的 开口小的开口以暴露上反射体的步骤中，由于每一层的杂质浓度从上层至 下层台阶式的或逐渐的降低的因素，因此通过利用不同的蚀刻速率，在每 一层接触层上形成开口，使得每一个开口的直径从上层至下层台阶式的或 逐渐的减小。

3.根据权利要求1的制造表面发光半导体激光元件的方法，其中在上 反射层上形成接触层的步骤中，形成多个接触层，使得每一Al成分从上层 至下层台阶式的或逐渐的降低，其中在接触层上形成比绝缘膜的开口小的 开口以暴露上反射体的步骤中，由于每一层的Al成分从上层至下层台阶式 的或逐渐的降低的因素，因此通过利用不同的蚀刻速率，在每一层接触层 上形成开口，使得每一开口的直径从上层至下层台阶式的或逐渐的减小。