[发明专利]一种黑瓷低温玻璃外壳气密性封帽的方法有效
| 申请号： | 200810123540.3 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101303986A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 郭伟;陶建中 | 申请（专利权）人： | 无锡中微高科电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所 | 代理人： | 殷红梅 |
| 地址： | 214028江苏省无锡市新区无锡经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低温 玻璃 外壳 气密性 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种黑瓷低温玻璃外壳气密性封帽的方法，其特征是采用以下工艺步骤：
(1)、预烘：先把外壳(3)和盖板(2)放入烘箱内预烘，预烘温度：180℃～250℃；预烘时间：2h～3h；
(2)、装架：将预烘好的外壳(3)和盖板(2)放入充氮装架台内，把盖板(2)的玻璃焊环一面朝下平盖在外壳(3)的腔体上，其中盖板(2)的中心与外壳(3)腔体的中心一致，再用夹子(1)夹在盖板(2)和外壳(3)的中心位置；所述夹子(1)夹持力为9N～20N；
(3)、封帽：把已经装架好的器件放入加热炉内封帽；加热炉内峰值温度：415℃～435℃；峰值温度保持时间：5s～18s；
(4)、松开夹子(1)，把已经封帽好的器件从夹子(1)上取下，完成整个封帽过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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