[发明专利]通过植入N－及P－型簇离子及负离子制造CMOS器件的方法

权利要求书

1.一种将掺杂剂材料植入一衬底内的方法，该方法包括如下步骤：

自一第一分子物质产生P_nH_x⁺形式的N-型簇离子，其中n和x为整数，且n处于2≤n≤4，x处于0≤x≤6的范围内；

自一第二分子物质产生P-型簇离子；

将所述N-型簇离子植入一衬底上的一第一区域内；及

将所述P-型簇离子植入所述衬底上的一第二区域内。

2.如权利要求1所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：自磷化氢(PH₃)气体产生所述N-型簇离子。

3.如权利要求1所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：自元素磷的蒸气P产生所述N-型簇离子。

4.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₄⁺簇离子。

5.如权利要求3所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₄⁺簇离子。

6.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₃⁺簇离子。

7.如权利要求3所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₃⁺簇离子。

8.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₂⁺簇离子。

9.如权利要求3所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₂⁺簇离子。

10.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₄H_x⁺簇离子，其中x为一整数且1≤x≤6。

11.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₃H_x⁺簇离子，其中x为一整数且1≤x≤5。

12.如权利要求2所述的方法，其中自一第一分子物质产生N-型簇离子的步骤包括：产生P₂H_x⁺簇离子，其中x为一整数且1≤x≤4。

13.如权利要求1所述的方法，其中自一第二分子物质产生P-型簇离子的步骤包括：自十硼烷(B₁₀H₁₄)气体产生所述簇离子。

14.如权利要求13所述的方法，其中自一第二分子物质产生P-型簇离子的步骤包括：产生B_nH_x⁺簇离子，其中n及x为整数且2≤n≤10，0≤x≤14。

15.如权利要求14所述的方法，其中自一第二分子物质产生P-型簇离子的步骤包括：产生B₁₀H_x⁺簇离子，其中x为一整数且0≤x≤14。

16.如权利要求1所述的方法，其中自一第二分子物质产生P-型簇离子的步骤包括：产生负B₁₀H_x^-簇离子，其中x为一整数且0≤x≤14。

17.一种半导体装置，其包括：

一衬底；

一P_nH_x⁺形式的N-型掺杂剂，其被植入所述衬底的一第一区域内，其中n和x为整数，且n处于2≤n≤4，x处于0≤x≤6的范围内；及

一P-型掺杂剂，其被植入形成一半导体装置的所述衬底的一第二区域内。