[发明专利]保持环及化学机械研磨装置

权利要求书

1.一种保持环，包括：

一圆环，具有一第一主表面、一第二主表面、一内边缘及一外边缘；

多个沟槽，设置于该第一主表面之中，其中，每一个沟槽延伸通过该内边缘；以及

多个开口，其中，每一个开口设置于每一个沟槽之中。

2.如权利要求1所述的保持环，其中，每一个沟槽不延伸通过该外边缘。

3.如权利要求1所述的保持环，其中，每一个沟槽的深度介于1mm与3mm之间。

4.如权利要求1所述的保持环，其中，每一个开口的直径介于1/4英时与1/2英时之间。

5.如权利要求1所述的保持环，其中，每一个沟槽具有一斜边缘。

6.如权利要求5所述的保持环，其中，该斜边缘相对于该外边缘的一切线的一角度介于30°与150°之间。

7.如权利要求1所述的保持环，其中，该圆环具有一致的宽度。

8.一种保持环，包括：

一圆环，具有一内边缘及一外边缘，其中，该内边缘及该外边缘具有同心的形状；

多个开口，设置于该圆环之上，其中，每一个开口延伸通过该保持环；以及

多个沟槽，其中，每一个沟槽包围每一个开口，并且延伸至该内边缘。

9.如权利要求8所述的保持环，其中，每一个沟槽不延伸通过该外边缘。

10.如权利要求8所述的保持环，其中，每一个沟槽的深度介于1mm与3mm之间。

11.如权利要求8所述的保持环，其中，每一个开口的直径介于1/4英时与1/2英时之间。

12.如权利要求8所述的保持环，其中，每一个沟槽具有一斜边缘。

13.如权利要求12所述的保持环，其中，该斜边缘相对于该外边缘的一切线的一角度介于30°与150°之间。

14.如权利要求8所述的保持环，其中，该圆环具有一致的宽度。

15.一种化学机械研磨装置，包括：

一转动平台，承载一研磨垫，并且使该研磨垫转动；

一转动载体，承载一半导体晶片；以及

一保持环，耦合于该转动载体，并且具有一内边缘及一外边缘，其中，多个沟槽从该内边缘延伸至该外边缘，每一个沟槽具有一开口，以及该开口延伸通过该保持环，用以散布一研浆。

16.如权利要求15所述的化学机械研磨装置，其中，每一个沟槽不延伸通过该外边缘。

17.如权利要求15所述的化学机械研磨装置，其中，每一个沟槽的深度介于1mm与3mm之间。

18.如权利要求15所述的化学机械研磨装置，其中，每一个开口的直径介于1/4英时与1/2英时之间。

19.如权利要求15所述的化学机械研磨装置，其中，每一个沟槽具有一斜边缘。

20.如权利要求19所述的化学机械研磨装置，其中，该斜边缘相对于该外边缘的一切线的一角度介于30°与150°之间。