[发明专利]基板、磁性记录介质及其制造方法以及磁性存储设备无效
申请号: | 200810099344.7 | 申请日: | 2008-05-21 |
公开(公告)号: | CN101312049A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | 小野胜;吉田祐树;山口洁;菊池晓 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11B5/73 | 分类号: | G11B5/73;G11B5/84 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 党晓林 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基板 磁性 记录 介质 及其 制造 方法 以及 存储 设备 | ||
1、一种用于垂直磁性记录介质的基板,
其中所述基板由至少一种非磁性材料制成,并且
所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2.0度以下,或者所述基板的周 期在83nm以下至30nm以下范围内的表面粗糙度为0.15nm以下。
2、根据权利要求1所述的基板,其中:
所述基板的周期在59nm以下至40nm以下范围内的所述表面粗糙度 为0.15nm以下。
3、根据权利要求1所述的基板,其中:
所述基板的周期在50nm以下范围内的所述表面粗糙度为0.15nm以 下。
4、根据权利要求1所述的基板,其中:
所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。
5、根据权利要求2所述的基板,其中:
所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。
6、根据权利要求3所述的基板,其中:
所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。
7、一种垂直磁性记录介质,该垂直磁性记录介质包括:
非磁性基板;以及
形成在所述基板的表面上的磁性记录结构,该磁性记录结构至少具 有软磁性底层、中间层和磁性层,
其中,所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2.0度以下,或者所述基 板的周期在83nm以下至30nm以下范围内的表面粗糙度为0.15nm以下。
8、根据权利要求7所述的磁性记录介质,其中:
所述基板的周期在59nm以下至40nm以下范围内的所述表面粗糙度 为0.15nm以下。
9、根据权利要求7所述的磁性记录介质,其中:
所述基板的周期在50nm以下范围内的所述表面粗糙度为0.15nm以 下。
10、根据权利要求7所述的磁性记录介质,其中:
所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。
11、根据权利要求8所述的磁性记录介质,其中:
所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。
12、根据权利要求9所述的磁性记录介质,其中:
所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。
13、一种垂直磁性记录介质的制造方法,该制造方法包括:
沿轨道方向对由非磁性材料制成的基板的表面进行机械加工;
在所述机械加工之后清洗所述基板的表面;以及
在所述基板的所述表面上形成磁性记录结构,所述磁性记录结构至 少具有软磁性底层、内层以及磁性层,其中:
所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2.0度以下,或者所述基板的周 期在83nm以下至30nm以下范围内的表面粗糙度为0.15nm以下。
14、根据权利要求13所述的磁性记录介质的制造方法,其中:
所述基板的周期在59nm以下至40nm以下范围内的所述表面粗糙度 为0.15nm以下。
15、根据权利要求13所述的磁性记录介质的制造方法,其中:
所述基板的周期在50nm以下范围内的所述表面粗糙度为0.15nm以 下。
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