[发明专利]基板、磁性记录介质及其制造方法以及磁性存储设备无效

专利信息
申请号: 200810099344.7 申请日: 2008-05-21
公开(公告)号: CN101312049A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: 小野胜;吉田祐树;山口洁;菊池晓 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B5/73 分类号: G11B5/73;G11B5/84
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 党晓林
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 基板 磁性 记录 介质 及其 制造 方法 以及 存储 设备
【权利要求书】:

1、一种用于垂直磁性记录介质的基板,

其中所述基板由至少一种非磁性材料制成,并且

所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2.0度以下,或者所述基板的周 期在83nm以下至30nm以下范围内的表面粗糙度为0.15nm以下。

2、根据权利要求1所述的基板,其中:

所述基板的周期在59nm以下至40nm以下范围内的所述表面粗糙度 为0.15nm以下。

3、根据权利要求1所述的基板,其中:

所述基板的周期在50nm以下范围内的所述表面粗糙度为0.15nm以 下。

4、根据权利要求1所述的基板,其中:

所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。

5、根据权利要求2所述的基板,其中:

所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。

6、根据权利要求3所述的基板,其中:

所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。

7、一种垂直磁性记录介质,该垂直磁性记录介质包括:

非磁性基板;以及

形成在所述基板的表面上的磁性记录结构,该磁性记录结构至少具 有软磁性底层、中间层和磁性层,

其中,所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2.0度以下,或者所述基 板的周期在83nm以下至30nm以下范围内的表面粗糙度为0.15nm以下。

8、根据权利要求7所述的磁性记录介质,其中:

所述基板的周期在59nm以下至40nm以下范围内的所述表面粗糙度 为0.15nm以下。

9、根据权利要求7所述的磁性记录介质,其中:

所述基板的周期在50nm以下范围内的所述表面粗糙度为0.15nm以 下。

10、根据权利要求7所述的磁性记录介质,其中:

所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。

11、根据权利要求8所述的磁性记录介质,其中:

所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。

12、根据权利要求9所述的磁性记录介质,其中:

所述基板的所述表面被沿轨道方向进行机械加工。

13、一种垂直磁性记录介质的制造方法,该制造方法包括:

沿轨道方向对由非磁性材料制成的基板的表面进行机械加工;

在所述机械加工之后清洗所述基板的表面;以及

在所述基板的所述表面上形成磁性记录结构,所述磁性记录结构至 少具有软磁性底层、内层以及磁性层,其中:

所述基板的表面轮廓曲线的倾角为2.0度以下,或者所述基板的周 期在83nm以下至30nm以下范围内的表面粗糙度为0.15nm以下。

14、根据权利要求13所述的磁性记录介质的制造方法,其中:

所述基板的周期在59nm以下至40nm以下范围内的所述表面粗糙度 为0.15nm以下。

15、根据权利要求13所述的磁性记录介质的制造方法,其中:

所述基板的周期在50nm以下范围内的所述表面粗糙度为0.15nm以 下。

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