[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；以及

布置在所述半导体衬底之上的第一电容元件、第二电容元件、 第三电容元件和第四电容元件，

其中所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元 件和所述第四电容元件分别由经由绝缘膜而彼此相对的第一和第二 电极形成，

其中所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元 件和所述第四电容元件的所述第一电极分别由同一层的导体层形 成，

其中所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元 件和所述第四电容元件的所述第二电极分别由同一层的导体层形 成，

其中所述第一电容元件和所述第三电容元件的所述第一电极通 过导体彼此电耦合，并且耦合到第一电势，

其中所述第二电容元件和所述第四电容元件的所述第一电极通 过导体彼此电耦合，并且耦合到与所述第一电势不同的第二电势，

其中所述第一电容元件和所述第二电容元件的所述第二电极通 过导体彼此电耦合，并且成为浮置电势，

其中所述第三电容元件和所述第四电容元件的所述第二电极通 过导体彼此电耦合，并且成为浮置电势，以及

其中所述第一电容元件和所述第二电容元件的所述第二电极以 及所述第三电容元件和所述第四电容元件的所述第二电极不通过导 体耦合。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电容元件、 所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件的所述 第一电极分别由形成在所述半导体衬底之上的第一导体层构成，以 及所述第一电容元件、所述第二电容元件、所述第三电容元件和所 述第四电容元件的所述第二电极分别由形成在所述第一导体层之上 或者之下的第二导体层构成。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一导体层和 所述第二导体层分别包括金属层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一电容元件、 所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件分别是 MIM型电容元件。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第二导体层 形成在所述第一导体层之下的层中。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一导体层和 所述第二导体层分别包括硅层。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中所述第一电容元件、 所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件分别是 PIP型电容元件。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二导体层 形成在所述第一导体层之上的层中。

9.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一导体层 和所述第二导体层中位于下层侧的导体层包括形成在所述半导体衬 底内的杂质扩散层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一电容元 件、所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件分 别是MOS型电容元件。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第一电容元 件、所述第二电容元件、所述第三电容元件和所述第四电容元件的 所述第一电极分别包括形成在所述半导体衬底中的所述杂质扩散 层。

12.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一电容元 件和所述第三电容元件的所述第一电极分别由所述第一导体层构成 的第一导体图案形成，所述第二电容元件和所述第四电容元件的所 述第一电极由所述第一导体层构成且分别由与所述第一导体图案电 分离的第二导体图案形成，所述第一电容元件和所述第二电容元件 的所述第二电极分别由所述第二导体层构成的第三导体图案形成， 所述第三电容元件和所述第四电容元件的所述第二电极分别由所述 第二导体层构成且分别由与所述第三导体图案电分离的第四导体图 案形成。