[发明专利]具有省电模组的静态随机存取存储器装置

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器装置，包含：

闩锁单元，包括：

第一PMOS晶体管，具有耦合供应电压的源极；以及

第一NMOS晶体管，具有：漏极、栅极及源极，所 述第一NMOS晶体管的漏极耦合所述第一PMOS晶体管 的漏极，所述第一NMOS晶体管的栅极耦合所述第一 PMOS晶体管的栅极；

第二PMOS晶体管，具有耦合所述供应电压的源极；

以及

第二NMOS晶体管，具有：漏极、栅极及源极，所 述第二NMOS晶体管的漏极耦合所述第二PMOS晶体管 的漏极，所述第二NMOS晶体管的栅极耦合所述第二 PMOS晶体管的栅极，所述第一NMOS晶体管及所述第 一PMOS晶体管的栅极耦合至所述第二NMOS晶体管及 所述第二PMOS晶体管的漏极以形成数据储存节点，并 且所述第二NMOS晶体管及所述第二PMOS晶体管的栅 极耦合至所述第一NMOS晶体管及所述第一PMOS晶体 管的漏极以形成互补数据储存节点；

一个或多个传递栅极晶体管，耦合字符线、闩锁单元、 位线及互补位线，为所述字符线所控制用以耦合所述闩锁单元 至所述位线及所述互补位线；以及

省电模组，包括：

第一源极线，耦合所述第一NMOS晶体管的源极；

第二源极线，耦合所述第二NMOS晶体管的源极；

第一电源控制单元，耦合所述第一源极线；

第二电源控制单元，耦合所述第二源极线；

其中，所述省电模组响应所述字符线的控制信号，反 向提升所述第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管的源 极的电压。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其中，所述 第一或第二源极线为两个邻近SRAM储存单元所共享。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其中，所述 第一及第二源极线与所述字符线平行。

4.根据权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其中，所述 第一电源控制单元包含：

第三NMOS晶体管，具有耦合所述第一源极线的漏极及 栅极，以及耦合至接地的源极；以及

第四NMOS晶体管，具有耦合所述第一源极线的漏极、 耦合所述字符线的栅极，以及耦合至接地的源极；其中所述第 四NMOS晶体管的栅极响应所述字符线的所述控制信号，反 向提升所述第一NMOS晶体管的所述源极的电压。