[发明专利]模拟的组合存储设备

说明书

本申请要求于2007年6月8日提交的题为“模拟的组合存储 设备”的第60/942,894号美国临时申请的优先权，其全部内容通过 引用结合于此。

技术领域

本申请涉及一种模拟的组合存储设备。

背景技术

存储设备实质上用于所有的计算应用和许多电子设备中。对于 一些应用，可以使用甚至在没有电源时仍能够保留其所保存的数据 的非易失性存储器。例如，非易失性存储器通常用于数码相机、便 携式音频播放器、无线通信设备、个人数字助理和外围设备中，也 用于将固件存储在计算机和其他设备中。非易失性存储器通常相对 地很慢，并且在有限次的写循环之后会停止运行。例如，其对典型 的快速存储设备的读取访问可能需要约70ns～100ns，并且用于读 取的时间更长。在丧失存储数据的能力之前，典型的快速存储设备 能承受约106次的写入。

当没有电源时会丢失数据的易失性存储器通常具有比非易失 性存储器更快的写入速度，并且取决于易失性存储器技术，易失性 存储器可能具有更快的读取速度。例如，静态存储器通常具有低于 10ns的用于读取和写入的访问时间。另外，在丧失存储数据的能力 之前，大多数易失性存储器技术能承受比大多数非易失性存储器技 术多了多个数量级的写入周期。例如，一些动态随机存取存储器 (DRAM)技术可能承受1015个写入周期。易失性存储器用于大 多数的计算应用中，通常作为存储正在执行的程序指令和临时数据 的“工作”存储器。

已经开发了广泛多种的存储器技术。非易失性存储器技术包 括：快速存储器、磁阻随机存取存储器(MRAM)、相变随机存取 存储器(PCRAM)、和导电桥式随机存取存储器(CBRAM)。易失 性存储器技术包括多种动态随机存取存储器(DRAM)技术，以及 静态随机存取存储器(SRAM)和伪静态随机存取存储器(PSRAM) 技术。由于对存储设备的大量需求，研究人员正持续改进存储器技 术，并且开发了新型的存储器。

诸如蜂窝电话和其他便携式电子设备的许多电子设备通常既 使用易失性存储器又使用非易失性存储器。例如，通常廉价的蜂窝 电话可能包括32兆位和128兆位(Mb)之间的非易失性存储器(例 如，NOR型快速存储器)、以及16Mb和64Mb之间的更高速的易 失性存储器(诸如PSRAM)。目前，通常的惯例是使用多芯片模块 来组合这两种类型的存储器，多芯片模块包括用于非易失性存储器 和易失性存储器的独立的多个集成电路器件。

发明内容

多个实施例提供了一种集成电路存储设备，其包括：非易失性 存储器阵列，具有第一模拟存储器区域和第二模拟存储器区域；以 及控制器，具有接口。存储设备被配置为模拟第一模拟存储器类型 和第二模拟存储器类型。存储设备进一步被配置为当存储设备模拟 第一模拟存储器类型时，将数据存储在第一模拟存储器区域中，以 及当存储设备模拟第二模拟存储器类型时，将数据存储在第二模拟 存储器区域中。

进一步地，所述第一模拟存储器类型是非易失性存储器类型， 以及所述第二模拟存储器类型是易失性存储器类型。

进一步地，所述第一模拟存储器类型是NOR闪存。

进一步地，所述第二模拟存储器类型是伪静态随机存取存储 器。

进一步地，所述第一接口被配置为提供对所述第一模拟存储器 类型和所述第二模拟存储器类型的存取。

进一步地，还包括：选择器，被配置为选择模拟所述第一模拟 存储器类型还是所述第二模拟存储器类型。

进一步地，所述选择器被配置为至少部分基于将被存取的存储 器地址，确定模拟所述第一模拟存储器类型还是所述第二模拟存储 器类型。

进一步地，所述选择器被配置为至少部分基于配置寄存器的内 容，确定模拟所述第一模拟存储器类型还是所述第二模拟存储器类 型。

进一步地，所述控制器包括：控制所述第一模拟存储器类型的 模拟的第一控制部；以及控制所述第二模拟存储器类型的模拟的第 二控制部。

进一步地，所述控制器还包括第二接口，以及其中，所述第一 接口与所述第一控制部相关联，以及所述第二接口与所述第二控制 部相关联。

进一步地，所述第一接口包括启动所述第一控制部的第一芯片 启动线，以及所述第二接口包括启动所述第二控制部的第二芯片启 动线。