[发明专利]薄膜晶体管、使用该薄膜晶体管的显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，具有：

栅电极；

栅极绝缘膜，以覆盖所述栅电极的方式形成；

半导体层，隔着所述栅极绝缘膜形成在所述栅电极上，并具有沟道 区域；

源电极以及漏电极，与所述半导体层连接的区域的至少一部分配置 在与所述栅电极重叠的位置；

第一保护膜，以覆盖所述半导体层、所述源电极以及所述漏电极的 方式形成，并包含有机SOG材料、有机SOD材料、无机SOG材料、无 机SOD材料以及氧化硅中的至少一种，所述有机SOG材料、所述有机 SOD材料、所述无机SOG材料、所述无机SOD材料以及所述氧化硅中 的任一层与所述半导体层的所述沟道区域直接接触，利用热处理释放水 分；以及

第二保护膜，以覆盖所述第一保护膜的方式形成，抑制水分扩散。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第二保护膜由包含氮化硅膜的膜形成。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第二保护膜是导电膜，所述导电膜由包含Al、Ti、Ta、W、 Mo、TiN、TaN、MoN、ZrN、VN、HfN、NbN、TiZrN、ZrVN、ITO、 IZO、ITZO、ZnO中的至少一种的膜形成。

4.一种显示装置，其特征在于，

具有权利要求1所述的薄膜晶体管。

5.一种显示装置，具有权利要求3所述的薄膜晶体管，其中

所述薄膜晶体管在所述漏电极上还具有形成在所述第一保护膜中 的接触孔，

所述导电膜利用所述接触孔与所述漏电极连接。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，具有：

在衬底上形成栅电极的工序；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜的工序；

隔着所述栅极绝缘膜，在所述栅电极上形成具有沟道区域的半导体 层的工序；

在所述半导体层上形成源电极以及漏电极的工序；

将利用热处理释放水分并包含有机SOG材料、有机SOD材料、无 机SOG材料、无机SOD材料以及氧化硅中的至少一种的第一保护膜， 以覆盖所述半导体层、所述源电极以及所述漏电极并且所述有机SOG 材料、所述有机SOD材料、所述无机SOG材料、所述无机SOD材料以 及所述氧化硅中的任一层与所述半导体层的所述沟道区域直接接触的 方式形成的工序；

以覆盖所述第一保护膜的方式，形成抑制水分扩散的第二保护膜的 工序；以及

利用热处理，使被所述第二保护膜覆盖的所述第一保护膜中的水分 扩散的工序。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，

在所述热处理的工序中，在200～350℃的温度下进行热处理。

8.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在 于，

利用将TEOS作为原料气体的等离子体化学汽相沉积法，形成所述 第一保护膜。

9.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在 于，

所述第二保护膜在350℃以下形成。

10.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在 于，

所述第二保护膜由包含氮化硅膜的膜形成。

11.根据权利要求6或7所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在 于，

所述第二保护膜是导电膜，所述导电膜由包含Al、Ti、Ta、W Mo、TiN、TaN、MoN、ZrN、VN、HfN、NbN、TiZrN、ZrVN、ITO、 IZO、ITZO、ZnO中的至少一种的膜形成。

12.一种显示装置的制造方法，其特征在于，

具有权利要求6或7所述的薄膜晶体管的制造方法。

13.一种显示装置的制造方法，具有权利要求11所述的薄膜晶体 管的制造方法，其中，

在形成所述第一保护膜的工序之后，还具有在所述漏电极上在所述 第一保护膜中形成接触孔的工序，

所述导电膜利用所述接触孔与所述漏电极连接。