[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种用于制造图像传感器的方法，包括如下步骤：

在成形的半导体衬底上方形成层间介电层；

在该层间介电层上方依次形成滤色镜层和平坦化层；

在该平坦化层上方形成籽晶微透镜阵列，该籽晶微透镜阵列包括相隔开地形成的多个籽晶微透镜；以及

通过在所述多个籽晶微透镜上方和在相邻籽晶微透镜之间的空间中形成第二介电层，形成具有无间隙的连续形状的微透镜阵列，

其中形成该籽晶微透镜阵列的步骤包括如下步骤：

在该平坦化层上方形成第一介电层；

在该第一介电层上方形成多个微透镜掩模，其中所述微透镜掩模均具有半球形状；以及

使用所述微透镜掩模作为蚀刻掩模来蚀刻该第一介电层。

2.如权利要求1所述的方法，其中使用CxHyFz气体以及在Ar、He、O₂和N₂中的至少一种来执行蚀刻该第一介电层的步骤，其中x、y、z为零或自然数。

3.如权利要求1所述的方法，其中使用40sccm至120sccm的CF₄气体以及在2sccm至20sccm的O₂气体和200sccm至900sccm的Ar气体中的至少一种来执行蚀刻该第一介电层的步骤。

4.如权利要求1所述的方法，其中该第一介电层和该第二介电层由氧化物膜、氮化物膜和氮氧化物膜中的至少一个构成。

5.如权利要求4所述的方法，其中在50℃至250℃的温度下形成该第一介电层和该第二介电层。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述微透镜掩模与该第一介电层之间的蚀刻选择比为1∶0.7与1∶1.3之间。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述多个籽晶微透镜均形成为具有至的厚度。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第二介电层形成为具有至的高度。

9.如权利要求1所述的方法，其中将该第一介电层蚀刻至至的厚度。

10.如权利要求1所述的方法，其中所述微透镜掩模形成为具有半球形状。