[发明专利]器件制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及器件制造方法，其将晶片沿分割预定线分割成一个个器件，并且在各器件的背面安装管芯焊接用的粘接膜，其中上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中形成有器件。

背景技术

例如，在半导体器件制造工序中，在大致为圆板形状的半导体晶片的表面上，在通过形成为格子状的间隔道(分割预定线)划分而成的多个区域中，形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(large scaleintegration：大规模集成电路)等器件，通过将形成有该器件的各区域沿分割预定线进行分割，来制造出一个个的器件。作为分割半导体晶片的分割装置，通常使用被称为切割装置的切削装置，该切削装置用厚度为40μm左右的切削刀具对半导体晶片沿分割预定线进行切削。如此分割出的器件被封装并在移动电话和个人计算机等电气设备中广泛使用。

分割成一个一个的器件在其背面安装有由环氧树脂等形成的厚度为70～80μm的称为芯片黏着膜(ダィァタッチフィルム)的管芯焊接用的粘接膜，并隔着该粘接膜通过加热而焊接在支撑器件的管芯焊接框架上。作为在器件的背面安装管芯焊接用的粘接膜的方法，在半导体晶片的背面上粘贴粘接膜，并隔着该粘接膜将半导体晶片粘贴在切割带上，然后沿着在半导体晶片的表面上形成的分割预定线通过切削刀具将粘接膜与半导体晶片一起切断，从而形成在背面安装有粘接膜的器件。(例如，参照专利文献1。)

专利文献1：日本特开2000-182995号公报

近年来，移动电话和个人计算机等电气设备要求进一步轻量化、小型化，这就需要更薄的器件。作为更薄地分割器件的技术，称为所谓的预先切割法(DBG：Dicing Before Grinding)的分割技术正在实用化。该预先切割法是从半导体晶片的表面沿分割预定线形成预定深度(与器件的完成厚度相当的深度)的分割槽，然后对在表面形成有分割槽的半导体晶片的背面进行磨削，使分割槽在该背面露出，从而分割成一个个器件的技术，其能够将器件的厚度加工成100μm以下。

然而，在用预先切割法将半导体晶片分割成一个个器件的情况下，在从半导体晶片的表面沿分割预定线形成预定深度的分割槽后，磨削半导体晶片的背面使分割槽在该背面露出，所以无法将管芯焊接用的粘接膜提前安装到半导体晶片的背面上。因此，在将通过预先切割法制作出的器件焊接到管芯焊接框架上时，必须是在器件和管芯焊接框架之间放入粘接剂的同时进行焊接，存在不能流畅地实施焊接作业的问题。

为了消除这样的问题，提出了以下两种半导体器件的制造方法：在用预先切割法分割成一个个器件的半导体晶片的背面，安装管芯焊接用的粘接膜，并隔着该粘接膜将半导体晶片粘贴到切割带上，然后通过化学刻蚀将在各器件之间的间隙中露出的粘接膜的部分除去；以及，对于在上述各器件之间的间隙中露出的粘接膜的部分，从器件的表面侧通过上述间隙来照射激光光线，将粘接膜的在上述间隙中露出的部分除去。(例如，参照专利文献2。)

专利文献2：日本特开2002-118081号公报

然而，要照射激光光线来切断粘接膜，需要对粘接膜照射具有吸收性的波长(例如355nm)的、平均输出为2W左右的激光光线。平均输出为2W左右的激光光线的输出比较强，当照射向粘接膜时，会有碎屑飞散，存在该飞散的碎屑附着在器件的表面上导致器件的品质下降的问题。

发明内容

本发明鉴于上述事实而完成，其主要技术课题是提供一种能够在通过预先切割法分割而成的一个个器件的背面容易地安装管芯焊接用的粘接膜而不会使器件的品质下降的器件制造方法。

为了解决上述主要技术课题，根据本发明，提供一种器件制造方法，其是将晶片沿分割预定线分割成一个个器件、并且在各器件的背面安装管芯焊接用的粘接膜的器件制造方法，其中，上述晶片在表面上在由形成为格子状的分割预定线划分而成的多个区域中形成有器件，其特征在于，上述器件制造方法包括以下工序：

晶片分割工序，在从晶片的表面侧沿分割预定线形成预定深度的分割槽之后，磨削晶片的背面使上述分割槽在背面露出，从而将晶片分割成一个个器件；

粘接膜安装工序，在分割成一个个器件的晶片的背面安装通过照射紫外线而硬化的粘接膜；

晶片支撑工序，将安装有上述粘接膜的晶片的上述粘接膜侧粘贴到安装于环状框架的切割带的表面上；