[发明专利]基板抛光方法、半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810080787.1 | 申请日： | 2008-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101244536A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 中村宽子;上月贵晶;榎本贵幸;山本雄一 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00;H01L21/304;C09K3/14;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 半导体 装置 及其 制造 | ||
1、一种基板抛光方法，包括如下步骤：
采用由布鲁诺-埃麦特-泰勒值彼此不同的二氧化铈研磨剂颗粒形成的两种或者多种不同的浆料，对基板上的抛光目标氧化膜进行两级或者多级化学机械抛光工艺，以平坦该抛光目标氧化膜。
2、根据权利要求1所述的基板抛光方法，其中该两级或者多级化学机械抛光工艺包括：
第一抛光工艺步骤，采用由第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值的二氧化铈研磨剂颗粒形成的浆料，在下层图案密集形成的部分上抛光该抛光目标氧化膜；和
第二抛光工艺步骤，采用由低于该第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值的第二布鲁诺-埃麦特-泰勒值的二氧化铈研磨剂颗粒形成的另一种浆料，在下层图案非密集形成的部分上抛光该抛光目标氧化膜。
3、根据权利要求2所述的基板抛光方法，其中该第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值为15到30m2/g，并且该第二布鲁诺-埃麦特-泰勒值为5到10m2/g。
4、一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
采用由布鲁诺-埃麦特-泰勒值彼此不同的二氧化铈研磨剂颗粒形成的两种或者多种不同的浆料，对基板上的抛光目标氧化膜进行两级或者多级化学机械抛光工艺，以平坦该抛光目标氧化膜。
5、根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中该两级或者多级化学机械抛光工艺包括：
第一抛光工艺步骤，采用由第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值的二氧化铈研磨剂颗粒形成的浆料，在下层图案密集形成的部分上抛光该抛光目标氧化膜；和
第二抛光工艺步骤，采用由低于该第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值的第二布鲁诺-埃麦特-泰勒值的二氧化铈研磨剂颗粒形成的另一种浆料，在下层图案非密集形成的部分上抛光该抛光目标氧化膜。
6、根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中该第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值为15到30m2/g，并且该第二布鲁诺-埃麦特-泰勒值为5到10m2/g。
7、一种半导体装置，包括：
层间氧化膜，具有形成为平坦面的表面，其中采用由第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值的二氧化铈研磨剂颗粒形成的浆料进行抛光，并且采用由低于该第一布鲁诺-埃麦特-泰勒值的第二布鲁诺-埃麦特-泰勒值的二氧化铈研磨剂颗粒形成的另一浆料进行抛光。
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