[发明专利]保护层材料、其制法、保护层以及等离子体显示面板

权利要求书

1.一种用于制备等离子体显示面板保护层的材料，包括：

单晶氧化镁；和

稀土元素，

其中所述单晶氧化镁掺杂有所述稀土元素。

2.权利要求1的材料，其中所述单晶氧化镁具有(1，0，0)晶面。

3.权利要求1的材料，其中所述稀土元素为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一种。

4.权利要求1的材料，还包括选自Al、Ca、Fe、Si、K、Na、Zr、Mn、Cr、Zn、B和Ni的至少一种元素。

5.一种制备用于PDP保护层的材料的方法，包括：

形成氧化镁或镁盐、稀土氧化物或稀土盐、和溶剂的混合溶液；

煅烧所述混合溶液；

使所述煅烧过的溶液结晶；和

形成掺杂有稀土元素的单晶氧化镁。

6.权利要求5的方法，其中所述镁盐为选自MgCO₃和Mg(OH)₂的一种。

7.权利要求5的方法，其中所述稀土盐为选自M(NO₃)₃、M₂(SO₄)₃和MCl₃的一种，其中M是所述稀土元素。

8.权利要求5的方法，其中所述混合溶液还包含MgF₂和MF₃作为助熔剂，其中M是所述稀土元素。

9.权利要求5的方法，还包括干燥所述溶液。

10.权利要求5的方法，其中在约400-1,000℃下进行所述混合溶液的煅烧。

11.权利要求5的方法，其中在约2,000-3,000℃下进行所述煅烧过的溶液的结晶。

12.权利要求5的方法，其中所述使该煅烧过的溶液结晶包括形成由非晶区、多晶区和单晶区组成的氧化镁；和

所述单晶氧化镁的形成包括从所述结晶的氧化镁提取所述单晶区。

13.权利要求5的方法，其中所述稀土元素为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一种。

14.一种使用掺杂有稀土元素的单晶氧化镁源沉积的PDP保护层。

15.权利要求14的保护层，其中所述稀土元素为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一种。

16.权利要求14的保护层，其中所述掺杂有稀土元素的单晶氧化镁还包括选自A1、Ca、Fe、Si、K、Na、Zr、Mn、Cr、Zn、B和Ni的至少一种元素。

17.权利要求14的保护层，其中通过将氧化镁或镁盐、稀土氧化物或稀土盐、和溶剂的混合溶液煅烧和结晶形成所述掺杂有稀土元素的单晶氧化镁。

18.一种等离子体显示面板(PDP)，包括：

彼此分开的第一基板和第二基板；

障壁，其通过分隔所述第一基板和第二基板之间的放电空间形成多个放电单元；

多个放电电极对，向该放电电极对施加电压以在所述放电单元中产生放电；

放电气体，其注入到所述放电空间中；

第一介电层，其覆盖所述放电电极对；和

保护层，其在第一介电层上形成且由掺杂有稀土元素的单晶氧化镁形成。

19.权利要求18的PDP，其中通过将氧化镁或镁盐、稀土氧化物或稀土盐、和溶剂的混合溶液煅烧和结晶形成所述掺杂有稀土元素的单晶氧化镁。

20.权利要求19的PDP，其中所述稀土元素为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的一种。

21.权利要求19的PDP，其中所述掺杂有稀土元素的单晶氧化镁还包括选自Al、Ca、Fe、Si、K、Na、Zr、Mn、Cr、Zn、B和Ni的至少一种元素。