[发明专利]一种高亮度发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810072162.0 申请日: 2008-11-14
公开(公告)号: CN101442092A 公开(公告)日: 2009-05-27
发明(设计)人: 黄尊祥;杨凯;李涛;彭绍文 申请(专利权)人: 厦门乾照光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 代理人: 李 宁
地址: 361000福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 亮度 发光二极管 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种高亮度发光二极管,在导电基板上依序形成第二半导体层、活性层和第一半导体层,其特征在于:导电基板的另一面形成第二欧姆接触电极,第一半导体层上形成第一欧姆接触电极和肖特基接触焊线电极,且肖特基接触焊线电极与第一欧姆接触电极电连接,第一欧姆接触电极的形状为连续的线型、连续的网格状、连续的圆环或不连续的线型、不连续的网格状、不连续的圆环。

2.如权利要求1所述的一种高亮度发光二极管,其特征在于:所述肖特基接触焊线电极为圆形、四边形、六边形或八边形,在芯片发光区的任意位置与第一欧姆接触电极接触。

3.如权利要求1所述的一种高亮度发光二极管,其特征在于:所述第二欧姆接触电极为铺满了整个导电基板的面电极结构。

4.如权利要求1所述的一种高亮度发光二极管,其特征在于:所述第二欧姆接触电极为不铺满整个导电基板的点电极结构。

5.如权利要求1所述的一种高亮度发光二极管,其特征在于:制造方法包含以下步骤:

(1)提供一导电基板;

(2)在导电基板上形成第二半导体层;

(3)在第二半导体层上形成活性层;

(4)在活性层上形成第一半导体层;

(5)在第一半导体层上形成具有第一欧姆接触电极;

(6)在第一半导体层上形成焊线电极,使焊线电极的边缘与第一欧姆接触电极连接;

(7)在导电基板的另一面形成第二欧姆接触电极。

6.如权利要求5所述的一种高亮度发光二极管的制造方法,其特征在于:步骤(5)第一欧姆接触电极使用金、镍、铍、锗、锌、银、铝、钛、铬金属的单层或多层金属材料或多层包含二种以上多金属合金材料。

7.如权利要求5所述的一种高亮度发光二极管的制造方法,其特征在于:步骤(6)肖特基接触焊线电极使用金、镍、银、铝、钛、铬、铂等金属的单层或多层金属材料或多层包含二种以上多金属合金材料。

8.如权利要求5所述的一种高亮度发光二极管的制造方法,其特征在于:步骤(7)第二欧姆接触电极使用金、镍、铍、锗、锌、银、铝、钛、铬等金属的单层或多层金属材料或多层包含二种以上多金属合金材料。

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